CIP-2021 : G01R 31/26 : Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66;
pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
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G FISICA.
G01 METROLOGIA; ENSAYOS.
G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12).
G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46).
G01R 31/26 · Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
SOPORTE DE MEDIDA, EN ESPECIAL PARA COMPONENTES DE MICROONDAS.
(16/12/1994). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: ZIMMERMANN, WALTER.
UN SOPORTE DE MEDIDA, EN ESPECIAL PARA COMPONENTES DE MICROONDAS TAMBIEN DEBE SATISFACER LAS EXIGENCIAS DE PRECISION DE MEDIDA DE LOS COMPONENTES DE MICROONDAS MONTABLES CON DISPOSITIVOS AUTOMATICOS. EL SOPORTE POSEE UNA CORREDERA (6 A 9) PARA INTRODUCIR EL COMPONENTE A MEDIR EN EL SOPORTE Y PARA POSICIONAR Y CONTACTAR EL COMPONENTE EN EL SOPORTE.
CIRCUITO DE MEDIDA DE CORRIENTE EN UN TRANSISTOR DE POTENCIA MOS.
(16/06/1994). Solicitante/s: SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. SIEMENS AUTOMOTIVE S.A. Inventor/es: CINI, CARLO, ROSSI, DOMENICO, SIMON, MARC.
LA PRESENTE INVENCION CONCIERNE A UN CIRCUITO DE MEDIDA DE CORRIENTE EN UN TRANSISTOR MOS DE POTENCIA (MO), INCLUYENDO SEGUNDAS (M1) Y TERCERAS (M2) TRANSISTORES EN SERIE DEL MISMO TIPO Y DE LA MISMA TECNOLOGIA, PERO DE SUPERFICIE MAS PEQUEÑA QUE EL TRANSISTOR DE POTENCIA Y DISPUESTOS PARALELAMENTE SOBRE EL, ESTOS DOS TRANSISTORES EN SERIE TENIENDO SUS REDES CONECTADAS A LA RED DEL TRANSISTOR DE POTENCIA, Y LOS MEDIOS DE MEDIDA DE CORRIENTE EN LAS REDES DE LOS DOS TRANSISTORES (M2) QUE ESTAN UNIDOS AL ELECTRODO DE REFERENCIA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE MEDICION PARA DETERMINACION DE LA LONGITUD DE DIFUSION DEL PORTADOR DE CARGA MINORITARIO PARA DETECCION SIN PROBLEMAS DE DEFECTOS Y SUCIEDADES EN CUERPOS DE CRISTAL SEMICONDUCTORES.
(01/11/1992) EL PROCEDIMIENTO PREVE LLAVAR EL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR ENTRE DOS CAMARAS MEDIAS DE MEDICION (1 Y 2) LLENADAS ELECTROLITICAS Y DETECTAR POR RADIACION EN LA PARTE DELANTERA DEL PORTADOR DE CARGA MINORITARIO QUE ORIGINA EL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR DE LA FOTOCORRIENTE CON AYUDA DE UNA TENSION CONTINUA ENTRE LA PARED POSTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR Y LOS ELECTROLITOS DE LA PARTE POSTERIOR Y EN LA PARTE POSTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR . DEL COCIENTE DE LA CORRIENTE PORTADORA DE CARGA MINORITARIA IG / IO QUE SE PRESENTA EN LA PARTE POSTERIOR Y ANTERIOR DEL CUERPO DE CRISTAL SEMICONDUCTOR PUEDE AVERIGUARSE LA LONGITUD DE DIFUSION (L) POR TENIENDO EN CUENTA EL ESPESOR (D) DEL CUERPO DE CRISTAL SE MICONDUCTOR CON AYUDA DE UNA COMPARACION…
CIRCUITO INTEGRADO CON INDICADOR DE LONGITUD DE CANAL.
(01/04/1990). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: CARELLI, JOHN ANTHONY, PRITCHETT, ROBERT LEONARD, PEDERSEN, RICHARD ALAN.
UN CIRCUITO INTEGRADO INCLUYE PRIMER Y SEGUNDO TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO QUE TIENEN DIFERENTES LONGITUDES DE CANAL, Y UN CIRCUITO COMPARADOR PARA COMPARAR LAS CORRIENTES DE CANAL QUE FLUYEN A SU TRAVES. UNA EXCESIVA PROPORCION DE CORRIENTES INDICA EFECTOS DE CANAL CORTO, LOS CUALES DEGRADAN EL FUNCIONAMIENTO. UNA SEÑAL DE IDENTIFICACION QUE INDICA ESTA CONDICION DEBE SER PROPORCIONADA A UN TEST DE ALMOHADILLA EN EL CHIP UTILIZADA PARA INUTILIZAR LA OPERACION DEL CIRCUITO INTEGRADO O EN OTRO CASO UTILIZADA PARA PROPORCIONAR UNA INDICACION.
UN DISPOSITIVO PARA MEDIR EL TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES EN OBLEAS SEMICONDUCTORAS.
(01/10/1984). Solicitante/s: EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY.
SISTEMA PARA MEDIR EL TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES EN OBLEAS O PASTILLAS SEMICONDUCTORAS.CONSTA DE UN CIRCUITO PUENTE CON DOS BRAZOS QUE INCLUYE UN SISTEMA DE CONTACTO MECANICO DE DESCONEXION RAPIDA, PARA ACOPLAR CAPACITIVAMENTE LA OBLEA DE SILICIO A DICHO CIRCUITO PUENTE; DE UN GENERADOR DE SEN/AL CA ACOPLADO A DICHO PUENTE; DE UN DISPOSITIVO PARA ILUMINAR LAS OBLEAS CON RADIACION; Y DE MEDIOS PARA SUPERVISAR LA SALIDA DEL CIRCUITO PUENTE.
PERFECCIONAMIENTOS EN UN APARATO PARA PROBAR LA CAPACIDAD DE FUNCIONAMIENTO DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/03/1984). Solicitante/s: WESTINGHOUSE BRAKE AND SIGNAL COMPANY LIMITED..
APARATO PARA PROBAR LA CAPACIDAD DE FUNCIONAMIENTO DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.CONSTA DE MEDIOS PARA INTRODUCIR, EN UNA SEÑAL DE CONTROL NORMAL PARA EL DISPOSITIVO, IMPULSOS DE PRUEBAS QUE PUEDEN INDUCIR UN CAMBIO MOMENTANEO EN EL ESTADO DEL DISPOSITIVO; DE MEDIOS SENSORES CONECTADOS EN PARALELO CON EL DISPOSITIVO, QUE RESPONDEN AL CAMBIO DE ESTADO DE DICHO DISPOSITIVO, PARA PRODUCIR UNA SEÑAL DE SALIDA; Y DE MEDIOS DE CORRELACION QUE FUNCIONAN PARA CORRELACIONAR LA SALIDA DE LOS MEDIOS SENSORES CON LOS IMPULSOS DE PRUEBA, PARA DETERMINAR LA CAPACIDAD DE FUNCIONAMIENTODE DICHO DISPOSITIVO.
COMPROBADOR DIGITAL DE TRANSISTORES BIPOLARES.
(16/10/1981). Solicitante/s: MONTORE PARERA,JUAN LUIS ILLA MIRALLES,JORDI.
Un bloque de alimentación constituido por una pila saca de nueve Voltios unida a un interrupto los siguientes bloques esenciales provisto de un sistema de regulación de la alimentación del circuito y de detección del estado de la batería probable exteriormente mediante un piloto.
EQUIPO DE CONTROL DE APLICACION ELECTRONICA.
(16/03/1975). Solicitante/s: ESTRADA VIDAL,FERNANDO.
Resumen no disponible.