CIP-2021 : H01L 31/115 : Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas,
p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/115 · · · Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento y aparato para microdosimetría de estado sólido equivalente a tejido.
(03/04/2019) Un microdosímetro, que comprende:
una matriz de detectores , proporcionando cada uno un objetivo de volumen sensible; y
un medio equivalente a tejido para generar partículas cargadas secundarias;
caracterizado por que dicha matriz se fabrica a partir de un semiconductor en una oblea aislante y dichos detectores están situados para detectar partículas cargadas secundarias generadas en dicho medio equivalente a tejido ;
los detectores son detectores semiconductores de uniones p-n tridimensionales ; los detectores están integrados en y separados espacialmente por dicho medio equivalente a tejido ; y
cada uno de dichos detectores tiene un electrodo central rodeado por una capa de silicio activo rodeada por una región de electrodo externa , en el que el volumen del electrodo…
Conversión de fotones de alta energía en electricidad.
(26/03/2019) Sistema convertidor de energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende:
un convertidor de energía de fotones de alta energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende
una pluralidad de capas de un primer material que está adaptado para absorber los fotones de alta energía que presentan unas energías en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superiores a partir de un flujo de fotones , y para emitir los electrones expulsados de un átomo en la primera capa de material por un fotón de alta energía que presenta una energía en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superior y absorbido en una capa de la pluralidad de capas de un primer material, presentando cada capa de la pluralidad de capas de un primer material…
MICRODOSIMETRO BASADO EN ESTRUCTURAS 3D DE SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO MICRODOSIMETRO Y USO DE DICHO MICRODOSIMETRO.
(06/08/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GOMEZ RODRIGUEZ,FAUSTINO, LOZANO FANTOBA,MANUEL, PELLEGRINI,GIULIO, GUARDIOLA SALMERÓN,Consuelo, QUIRION,David, FLETA CORRAL,María Celeste.
La invención comprende un microdosímetro formado por celdas que forman una matriz, donde en el interior de cada celda hay un volumen sensible a la radiación, que se fabrica sobre semiconductores mediante procesos tridimensionales que definen los componentes de una unión PN para asegurar que se delimita con precisión de pocas ¿¿¿ un volumen sensible similar al volumen medio del núcleo celular, de aproximadamente igual o menor a 10 ¿m de diámetro, donde el sustrato donde está fabricada la celda es una oblea de semiconductor y la celda tiene un diámetro de entre 5 y 150 ¿m y una profundidad de entre 1 y 300 ¿m.. Además la invención indica procedimientos de fabricación de diferentes configuraciones que pueden presentar estos microdosímetros, y su uso para detección de radiación en diferentes campos incluyendo aplicaciones médicas y aeroespaciales.
