CIP-2021 : H01L 23/52 : Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/52 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.
(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método:
proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…
Dispositivo de visualización.
(25/05/2016). Solicitante/s: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Inventor/es: HUITEMA,HJALMAR E. A, KUIJK,KAREL E.
Un dispositivo de visualización que comprende un sustrato con una matriz de píxeles sobre el sustrato, electrodos de fila, electrodos de columna que cruzan los electrodos de fila, elementos de conmutación que son seleccionables por medio de los electrodos de fila para presentar datos, que han sido presentados mediante los electrodos de columna, a los píxeles, en los que partes de los electrodos de columna están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor, o partes de los electrodos de fila están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor caracterizado porque el sustrato es flexible y porque las bandas mutuamente separadas forman derivaciones con los electrodos (6, 5 respectivamente) con respecto a los que están dispuestas paralelas.
PDF original: ES-2587906_T3.pdf
Almacenamiento de datos y estructuras apilables.
(18/09/2013) Un sistema que comprende una pila incluyendo:
un primer dispositivo de memoria ;
un segundo dispositivo de memoria ;
opcionalmente, dispositivos de memoria adicionales ;
un controlador acoplado eléctricamente al primer dispositivo de memoria; donde
- cada uno de dichos dispositivos de memoria comprende contactos de entrada en serie (D0-D7, CSI, DSI) y contactos de salida en serie (Q0-7, CSO, DSO), los contactos de salida en serie estando separados de los contactos de entrada en serie y todos los dispositivos de memoria 15 teniendo una misma configuración de la disposición de entrada/salida,
- el segundo dispositivo de memoria en la pila se fija como un dispositivo de memoria sucesivo al primer dispositivo de memoria y rotacionalmente desplazado…
Vía de interconexión de baja resistencia a través de una oblea.
(07/08/2012) Una oblea que comprende una vía de interconexión a través de la oblea desde una cara superior hasta una cara inferior de la oblea , en la que la vía de interconexión a través de la oblea comprendeun agujero de interconexión a través de la oblea que tiene una pared lateral cubierta parcialmente almenos con un primer revestimiento conductor , en la que el agujero de interconexión a través de laoblea comprende al menos una primera porción y una segunda porción que forma un estrechamiento con al menos una pared lateral inclinada superior que se ensancha hacia fuera hacia la cara superioren el agujero de interconexión a través de la oblea caracterizada porque dicha primera porción tiene unapared lateral sustancialmente vertical .
DETERMINACION DE MASA PARA CONTROLES AUTOMATICOS DE PUERTA CORREDIZA Y LEVADIZA.
(16/04/2007). Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Inventor/es: KARL, ANDREAS, MILLER-HIPPER, ANDREAS, SIMMERLEIN-ERLBACHER , EWALD.
Procedimiento para configurar una unidad de control de puerta de un sistema de puerta , moviéndose el sistema de puerta por medio de un dispositivo de accionamiento eléctrico, en donde para configurar la unidad de control de puerta se establece automáticamente la masa (mges) del sistema de puerta , en donde el sistema de puerta se acelera de forma regulada para establecer la masa (mges) del sistema de puerta durante el menos un recorrido controlado y a continuación se vuelve a detener, caracterizado porque en el dispositivo de accionamiento se prefija la tensión de motor (UM), en donde para la aceleración regulada o la nueva detención del sistema de puerta se aumenta o reduce linealmente la tensión de motor (UM), y se determina la masa a partir de datos aquí determinados.
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/07/2006) La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir los terminales de conexión. La conexión eléctrica de un chip de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) montado sobre un circuito integrado comprende los pasos de soldar los electrodos y formar electrodos de control de retícula o de puerta sobre una placa conductora con secciones proyectantes que tienen áreas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión correspondientes. Los terminales de conexión se cubren con una placa metálica, por ejemplo aluminio, y el procedimiento anterior a la soldadura comprende la desoxidación de los terminales de conexión, al deposición de un material antioxidante, la deposición de soldadura, el posicionamiento de los chips con las secciones…
PROCEDIMIENTO DE MORDENTADO Y DISPOSITIVO PARA LA LIMPIEZA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES, EN ESPECIAL DIODOS DE POTENCIA.
(01/01/1999). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: BARTH, STEPHAN-MANUEL.
SE PROPONE UN PROCESO DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO CON CHORRO DE PLASMA PARA LIMPIEZA DE UNIONES P-N EXPUESTAS LATERALMENTE EN COMPONENTES DE SEMICONDUCTOR, EN PARTICULAR DIODOS DE POTENCIA, DESPUES DE QUE HAN SIDO SOLDADOS LOS CHIPS DE SEMICONDUCTOR RELATIVOS A LOS ELEMENTOS DE CONEXION. DE ACUERDO CON LA INVENCION EL PROCEDIMIENTO UTILIZA COMPUESTOS DE FLUOR A SER EMPLEADOS COMO GAS DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO.
PROCEDIMIENTO DE MANDO DEL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS Y UN CIRCUITO INTEGRADO QUE PONE EN OPERACION DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/04/1997). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.
EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE D DE LA REGION DEL EMISOR 14 O DEL COLECTOR 15, UNA CONEXION ELECTRICA 22. EL INVENTO SE APLICA ESPECIALMENTE A LA CORRECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (RECONFIGURACION, REDUNDANCIA) Y EN LA PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS MUERTAS INTEGRADAS.
ESTRUCTURA DE CONTACTO A TOPE DE AREA REDUCIDA.
(01/02/1994) ESTRUCTURA DE CONTACTO A TOPE DE AREA REDUCIDA (10') QUE SE PROVEE, LA CUAL ES ESPECIALMENTE ADECUADA PARA CELULAS RAM ESTATICAS DE CUATRO TRANSISTORES. SE FORMA UNA ESTRUCTURA LA CUAL INCLUYE UNA REGION DOPADA DE SILICONA Y UNA O MAS CAPAS DE POLISILICONA Y OXIDO COLOCADAS ALLI ENCIMA, PUDIENDO SER UNA DE LAS CAPAS DE POLISILICONA UNA POLISILICONA DE PUERTA. ENTONCES SE REALIZA UN GRABADO POR ATAQUE QUIMICO ANISOTROPICO A TRAVES DE TODAS LAS CAPAS SUPERIORES INCLUYENDO ALGUNA CAPA SUPERIOR DE POLISILICONA LA CUAL PUEDE PRESENTARSE, PERO PARANDO EN LA REGION DOPADA DE SILICONA Y SE PRESENTA ALGUNA CAPA DE POLISILICONA…
TARJETA CON MICROCIRCUITOS ELECTRONICOS Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(01/12/1992). Solicitante/s: BULL CP8. Inventor/es: CHAMPAGNE, DANIEL, LE LOC\'H, ALAIN.
LOS CONTACTOS 12 ACCESIBLES A TRAVES DE UNA ABERTURA 26 DE LA TARJETA 10 ESTAN REALZADOS POR UNA PROTUBERANCIA 27 FORMADA BAJO LOS CONTACTOS DE FORMA QUE ALCANCEN APROXIMADAMENTE EL NIVEL DE LA CARA EXTERNA 22A DE LA TARJETA. LA INVENCION SE APLICA MAS PARTICULARMENTE A LAS TARJETAS DE CREDITO.
METODO Y APARATO PARA LLENAR VIAS DE ALTA DENSIDAD EN SUSTRATOS DE MATERIAL DIELECTRICO.
(01/10/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: AMDAHL CORPORATION. Inventor/es: LYNCH, JOHN F.
METODO Y APARATO PARA LLENAR VIAS DE ALTA DENSIDAD EN SUSTRATOS DE MATERIAL DIELECTRICO. EL METODO COMPRENDE PROPORCIONAR PASTA METALICA SOBRE UNA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, APLICAR VACIO A CADA VIA EN LA SEGUNDA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, Y APLICAR PRESION A LA PASTA METALICA SOBRE LA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, SIMULTANEAMENTE CON LA APLICACION DE VACIO. EL APARATO COMPRENDE MEDIOS PARA SOPORTAR EL SUSTRATO, UNA CAMARA DE PRESION QUE TIENE UNA PORCION DE LA MISMA DEFINIDA POR LA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, MEDIOS PARA PROPORCIONAR GAS A ELEVADA PRESION A LA CAMARA DE PRESION, UNA CAMARA DE VACIO QUE TIENE UNA PORCION DE LA MISMA DEFINIDA POR LA SEGUNDA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, Y MEDIOS PARA APLICAR VACIO EN DICHA CAMARA DE VACIO.
PROCEDIMIENTO DE ENLACE PROGRAMABLE POR LASER DE DOS CONDUCTORES SUPERPUESTOS DE LA RED DE INTERCONEXION DE UN CIRCUITO INTEGRADO, Y CIRCUITO INTEGRADO RESULTANTE.
(01/03/1991). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE.
PROCEDIMIENTO DE ENLACE PROGRAMABLE POR LASER DE DOS CONDUCTORES SUPERPUESTOS DE LA RED DE INTERCONEXION DE UN CIRCUITO INTEGRADO, Y CIRCUITO INTEGRADO RESULTANTE. EN UN CIRCUITO INTEGRADO EN EL QUE LA RED DE INTERCONEXION INCLUYE AL MENOS UNA ABERTURA PROGRAMADA POR LASER PARA EL ENLACE DE DOS CONDUCTORES SUPERPUESTOS , SEPARADOS POR UNA CAPA DIELECTRICA Y HECHOS CADA UNO DE ELLOS DE UNA BANDA METALICA PROVISTA DE PELICULAS SUPERIORES E INFERIORES DE MATERIAL A TEMPERATURA DE FUSION SUPERIOR A LA DEL METAL DE LA BANDA, ESTANDO EL CONDUCTOR SUPERIOR RECUBIERTO POR UNA CAPA DE PASIVACION , EL ENLACE SE REALIZA POR UNION DE DOS PESTAÑAS FORMADAS EN LA ABERTURA A PARTIR DE LOS CONDUCTORES RESPECTIVOS.
TABLERO DE INSTALACION ELECTRICA IMPRESO DE ALTA DENSIDAD.
(01/07/1990) UN TABLERO DE INSTALACION ELECTRICA IMPRESO DE ALTA DENSIDAD , AL QUE MONTADOS SEMICONDUCTORES DE ALTA DENSIDAD QUE TIENEN TERMINALES DE ENTRADA Y SALIDA USANDO LOS COJINETES TERMINALES. LAS RESPECTIVAS VIAS DE LOS COJINETES CADA UNA INTERNAMENTE CONECTADA CON CIRCUITOS DEL TABLERO DISEÑADOS PREVIAMENTE, SE SITUAN CERCA DE CADA COJINETE TERMIANL Y CADA UNA SE CONCECTA ELECTRICAMENTE CON EL RESPECTIVO COJINETE TERMINAL MEDIANTE UN MODELO DE INSTALACION PROPORCIONADO EN LA SUPERFICIE DE TABLERO . CUANDO SE REQUIERE MODIFICAR EL DESTINO DE UN COJINETE TERMINAL (30 PARA CONCECTAR UN CIRCUITO DIFERENTE DEL TABLERO, EL MODELO…
PERFECCIONAMIENTOS EN UN CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICO, PROTEGIDO CONTRA CAMBIO DE POLARIDAD.
(16/07/1986). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH.
CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICO PROTEGIDO CONTRA CAMBIO DE POLARIDAD. SE TRATA DE UNA DISPOSICION DE SEMICONDUCTOR CON METALIZACIONES QUE EN ZONAS CON CARGA TERMICA A IMPULSOS PRESENTAN UNA SUPERFICIE ESTRUCTURADA. POR DEBAJO DE LA METALIZACION SE DISPONE UNA ESTRUCTURA MEDIANTE ALMAS DE OXIDO QUE PRODUCEN OTRA ESTRUCTURA CORRESPONDIENTE EN LA SUPERFICIE DE LA METALIZACION. LA APARICION DE ALTAS CARGAS TERMICAS A IMPULSOS ORIGINAN DIFERENTES DILATACIONES LONGITUDINALES DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR Y DE LA METALIZACION , MOTIVAN EN ESTA DIFERENTES TENSIONES MECANICAS QUE, POR LAS CARACTERISTICAS DE LA SUPERFICIE ESTRUCTURADA, NO DAN LUGAR A FISURACION O ROTURA DE AQUELLA.
