ESTRUCTURA DE CONTACTO A TOPE DE AREA REDUCIDA.

ESTRUCTURA DE CONTACTO A TOPE DE AREA REDUCIDA (10') QUE SE PROVEE,

LA CUAL ES ESPECIALMENTE ADECUADA PARA CELULAS RAM ESTATICAS DE CUATRO TRANSISTORES. SE FORMA UNA ESTRUCTURA LA CUAL INCLUYE UNA REGION DOPADA DE SILICONA Y UNA O MAS CAPAS DE POLISILICONA Y OXIDO COLOCADAS ALLI ENCIMA, PUDIENDO SER UNA DE LAS CAPAS DE POLISILICONA UNA POLISILICONA DE PUERTA. ENTONCES SE REALIZA UN GRABADO POR ATAQUE QUIMICO ANISOTROPICO A TRAVES DE TODAS LAS CAPAS SUPERIORES INCLUYENDO ALGUNA CAPA SUPERIOR DE POLISILICONA LA CUAL PUEDE PRESENTARSE, PERO PARANDO EN LA REGION DOPADA DE SILICONA Y SE PRESENTA ALGUNA CAPA DE POLISILICONA DE LAS PUERTAS, PARA FORMAR UN ORIFICIO DE CONTACTO (26'). EL ORIFICIO DE CONTACTO SE LLENA CON UNA TOMA CONDUCTIVA (32) DE UN MATERIAL TAL COMO TUNGSTENO O POLISILICONA Y QUE ESTA ATACADO POR DETRAS. EN OTRO CASO, SE HACE EL CONTACTO CON TODAS LAS CAPAS DE POLISILICONA PRESENTES Y LA REGION DE SILICONA DOPADA. EN EL PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO, SE EMPLEA UN ATAQUE EN DOS ETAPAS. EL PRIMER ATAQUE NO ES ESPECIFICO COMO DE UN MATERIAL, ATACANDO TODOS LOS MATERIALES (POLISILICONA Y OXIDO) EN LA MISMA TASA SUBSTANCIALMENTE Y ES CONTINUADO A TRAVES DE ALGUNA CAPA SUPERIOR DE POLISILICONA, PERO SE TERMINA ANTES DE ATACAR LA REGION DE SILICONA DOPADA O ALGUNA DE LAS CAPAS DE POLISILICONA DE LAS PUERTAS (22). EL SEGUNDO ATAQUE ES ESPECIFICO COMO DE UN MATERIAL, ATACANDO EL DIOXIDO DE SILICONA MAS RAPIDO QUE A LA POLISILICONA O A LA SILICONA, Y ASI PARA EN LA CAPA DE POLISILICONA DE LAS PUERTAS Y EN LA REGION DE SILICONA DOPADA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453, SUNNYVALE, CA 94088.

Inventor/es: SANDER, CRAIG S., KLEIN, RICHARD K., CHOI, TAT C.

Fecha de Publicación: 1 de Febrero de 1994.

Fecha Concesión Europea: 16 de Septiembre de 1992.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/90
H01L23/52 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.

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