CIP-2021 : H01L 29/32 : los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.
(15/10/2019) Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende:
- una capa tampón que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida,
- una capa barrera que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida,
- siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida,
- una heterounión entre dicha capa tampón y dicha capa barrera y,
- un gas bidimensional de electrones localizado en un plano…
SENSORES DE CAMPOS MAGNETICOS.
(16/12/1994). Solicitante/s: GENERAL MOTORS CORPORATION. Inventor/es: HEREMANS, JOSEPH PIERRE, PARTIN, DALE LEE.
UN MAGNETODIODO PARA SU USO EN UN SENSOR MAGNETICO QUE UTILIZA UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR (FORMADO VENTAJOSAMENTE A PARTIR DE UN MATERIAL DE ALTA MOVILIDAD, DE INTERVALO DE BANDA DIRECTO, TAL COMO ARSENIURO DE GALIO) QUE TIENE UNA RETICULACION SUPERPUESTA FORMADA POR UN PERFIL DE IMPURIFICACION N-I-P-I O SUPERESTRUCTURA. ESTA RETICULACION SUPERPUESTA SE UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA REGION DE GRAN TIEMPO DE RECOMBINACION PARA EL FLUJO NORMAL DE PORTADORES DE CARGA A PARTIR DE LOS CUALES SE DESVIAN LOS PORTADORES EN REGIONES DE CORTOS PERIODOS DE TIEMPO DE RECOMBINACION POR MEDIO DE UN CAMPO MAGNETICO QUE SE ESTA PERCIBIENDO.