CIP-2021 : C30B 9/00 : Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00;
por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C30B 9/02 · por evaporación del solvente fundido.
C30B 9/04 · por enfriamiento del baño.
C30B 9/06 · · utilizando uno de los constituyentes del cristal solvente.
C30B 9/08 · · utilizando otros solventes.
C30B 9/10 · · · Solventes metálicos.
C30B 9/12 · · · Solventes formados por sales, p. ej. crecimiento en un fundente.
C30B 9/14 · por electrólisis.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE POLVO MONOCRISTALINO DE CU(IN, GA)SE2 Y CELULA SOLAR DE MENBRANA MONOGRANO QUE CONTIENE ESTE POLVO.
(01/11/2006). Solicitante/s: SCHEUTEN GLASGROEP. Inventor/es: GEYER, VOLKER, ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, RAUDOJA, JAAN.
Procedimiento para la fabricación de un polvo compuesto por una combinación Cu(ln.Ga)Se2, caracterizado porque comprende los siguientes pasos: -Aleación de Cu e In y/o de Cu y Ga para obtener una aleación de Culn y/o CuGa con una proporción subestequiométrica de Cu, -Fabricación de un polvo compuesto por la aleación de Culn y/o CuGa, -Adición de Se, así como Kl o Nal al polvo, -Calentamiento de la mezcla hasta que se forma una masa fundida, en la que la combinación Cu(ln, Ga)Se2 recristaliza y, al mismo tiempo, hace crecer los granos de polvo que han de fabricarse, -Enfriamiento de la masa fundida para interrumpir el crecimiento de los granos.
PRODUCCION DE POLVO MONOCRISTALINO Y DE UNA MEMBRANA MONOGRANO.
(01/03/2003). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JILICH GMBH. Inventor/es: ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, MEISSNER, DIETER.
Procedimiento para la producción de un polvo monocristalino, que está constituido de material semiconductor, que comprende un sistema multisubstancia de al menos tres componentes, donde un componente es un elemento del grupo 11º IUPAC, con las etapas: a) se mezclan los componentes correspondientes del material semiconductor o sus sales con un fundente; b) se ajusta una temperatura, que está por encima del punto de fusión del fundente y por debajo del punto de fusión del polvo monocristalino a producir; c) se separa por cristalización el polvo monocristalino; d) se refrigera la colada, con objeto de la interrupción del crecimiento del polvo monocristalino.
MACROCRISTALES DE ALUMINIO ALFA EN FORMA DE PLAQUITAS Y PROCESO DE OBTENCION.
(16/11/1994). Solicitante/s: ELF ATOCHEM S.A.. Inventor/es: BACHELARD, ROLAND, FAURE, ANNICK.
LA INVENCION TIENE POR OBJETO MACROCRISTALES DE ALUMINIO (ALFA) EN FORMA DE PLAQUITAS HEXAGONALES MONOCRISTALINAS. CONSTA TAMBIEN DE UN PROCESO DE FABRICACION DE ESTOS MACROCRISTALES POR CALCINACION DE ALUMINA, POR EJEMPLO ALUMINA DE TRANSICION, Y EN PRESENCIA DE UN FUNDENTE FLUORADO A UNA TEMPERATURA RELATIVAMENTE BAJA. LOS MACROCRISTALES DE ALUMINA (ALFA) PUEDEN SER UTILIZADOS COMO MATERIALES DE REFUERZO.
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION, POR ENFRIAMIENTO DE ENLACES EN ESTADO FUNDIDO, DE CRISTALES DE COMPUESTOS INTERMETALICOS, PARTICULARMENTE, DE MONOCRISTALES AISLADOS.
(01/08/1991). Solicitante/s: PECHINEY. Inventor/es: DUBOST, BRUNO, LANG, JEAN-MARC.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE BTENCION, POR ENFRIAMIENTO DE ENLACES EN ESTADO FUNDIDO, DE RISTALES DE COMPUESTOS INTERMETALICOS, PARTICULARMENTE DE ONOCRISTALES AISLADOS. EL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN OPERAR ON NA ALEACION EN ESTADO FUNDIDO DE COMPOSICION TAL QUE LA RIMERA FASE DE CRISTALES HASTA SU SOLIDIFICACION ORRESPONDE AL COMPUESTO A OBTENER, AL ENFRIAMIENTO ENTAMENTE EN EL SOMETIMIENTO A UN PROCESO CICLICO Y A UN ICLADO TERMICO SIN ATENDER A LA TEMPERATURA EN LA QUE PARECE OTRA FASE SOLIDA, A EXPULSAR BRUSCAMENTE EL LIQUIDO ESIDUAL. ESTE PROCEDIMIENTO ENCUENTRA SU APLICACION EN LA BTENCION DE CRISTALES PRIMARIOS, MONOFASADOS DE COMPUESTOS N FUSION CONGRUENTE O NO; EN PARTICULAR COMPUESTOS QUE RESENTAN UNA SIMETRIA DEL ORDEN DE 5 LLAMADAS "CUASI RISTALES".