Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (beta-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida dentro de un crisol metálico controlando la presión parcial de O2.

(26/06/2019) Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende las etapas de: - proporcionar en una cámara de crecimiento un sistema térmico u horno de crecimiento que comprende el crisol metálico que contiene el material de partida de Ga2O3 , un aislamiento térmico que rodea al crisol metálico y un calentador dispuesto alrededor del crisol metálico ; - proporcionar o crear un germen cristalino dentro del horno de crecimiento ; - introducir por lo menos en el horno de crecimiento una atmósfera de crecimiento que contiene oxígeno; - calentar el crisol metálico mediante el calentador , que a su vez calienta el…