CIP-2021 : H01L 33/30 : que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Conjunto de iluminación LED hortícola.
(02/04/2019). Solicitante/s: Valoya Oy. Inventor/es: AIKALA,LARS.
Una luz hortícola configurada para facilitar el crecimiento de las plantas, comprendiendo la luz hortícola al menos un diodo emisor de luz (LED), teniendo el al menos un LED
a) primeras características espectrales que incluyen un pico en el intervalo de longitud de onda de 600 a 700 nm y dispuestas para mostrar una anchura a media altura de al menos 50 nm o más, en donde las primeras características espectrales se generan utilizando una conversión ascendente de longitud de onda parcial de radiación de un chip semiconductor del al menos un LED con al menos un material de conversión ascendente en proximidad del chip semiconductor de al menos un LED; y
b) segundas características espectrales con un máximo de 50 nm de anchura a media altura y dispuestas para mostrar una longitud de onda pico en el intervalo de 440 a 500 nm, en donde las segundas características espectrales están en forma de radiación del chip semiconductor del menos un LED.
PDF original: ES-2707148_T3.pdf
Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.
(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de:
al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ;
en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno,
denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…
Diodo de emisión de luz de GaN mejorado.
(22/07/2015) Diodo de emisión de luz a base de GaN, que comprende:
un sustrato ,
una estructura de emisión de luz que comprende:
una capa de revestimiento N ,
una región activa , y
una capa de revestimiento P ,
una estructura de ventana sometida a crecimiento sobre dicha capa de revestimiento P , un electrodo N en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento N , y
un electrodo P en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento P ,
en el que:
dicha estructura de ventana comprende una capa externa delgada transparente y conductora que tiene una superficie expuesta con cuatro lados;…
Diodo de emisión de luz mejorado.
(10/09/2014) Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende:
una primera capa compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP;
una segunda capa formada sobre dicha primera capa y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa;
una tercera capa formada sobre dicha segunda capa y que consiste en un material conductor amorfo; y
un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda y tercera capas hasta dicha primera capa para formar conexiones óhmicas con dichas segunda y tercera capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa .