CIP-2021 : C30B 29/10 : Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas.

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Notas^[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54:
En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.

Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica

C QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 29/10 · Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Películas finas preparadas con una técnica de deposición en fase gaseosa.

(12/11/2019) Proceso para la preparación de una película fina de una naturaleza orgánica-inorgánica en un sustrato mediante una técnica de deposición en fase gaseosa producida por ALCVD, caracterizado por comprender las siguientes etapas: a) - poner en contacto el sustrato con un pulso de un precursor inorgánico seleccionado de un grupo que consiste en alquilos metálicos y halogenuros metálicos donde el metal se selecciona del grupo que consiste en Al, Si, Sn, Zn, Mg, Ti, Zr, V, Mn, Fe, Co, Cr, y Pt; b) - hacer reaccionar el precursor inorgánico con al menos una superficie del sustrato; c) - eliminar el precursor inorgánico sin reaccionar y subproductos de reacción si hay alguno; d) - poner en contacto la superficie de dicho sustrato con un pulso de un precursor orgánico; donde el precursor orgánico es un compuesto orgánicos sustituido…