CIP-2021 : H01L 27/082 : comprendiendo únicamente componentes bipolares.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/082 · · · · comprendiendo únicamente componentes bipolares.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CIRCUITO LIMITADOR DE POTENCIA-TENSION.
(16/11/1997) SE DESCRIBE UN CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE POTENCIA PARA LOGRAR UNA TENSION LIMITADORA, CON: ENTRE LA BASE Y EL EMISOR DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; SPOSICION DE DIODOS ZENER (D) CON UNA TENSION DE PASO PREDETERMINADA, ELEGIDA DE TAL FORMA QUE, PERMANECE EN TODO EL MARGEN DE TEMPERATURA, PARA LA QUE SE HA PREVISTO EL CIRCUITO, CON LA TENSION LIMITADORA, CUYA DISPOSICION DE DIODOS SE ENCUENTRA EN DIRECCION AL BLOQUEO ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; Y ZENER ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DEL TRANSISTOR DE POTENCIA; ES DE RESISTENCIA SE HAN DIMENSIONADO DE TAL MODO QUE, LA TENSION COLECTOR-EMISOR…
APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.
(01/03/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo, con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa.
