CIP-2021 : H01L 31/0745 : comprendiendo una heterounión A IV B IV , p. ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0745 · · · · comprendiendo una heterounión A _IV B _IV, p. ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Componente semiconductor optoelectrónico.

(24/06/2020) Componente semiconductor optoelectronico basado en silicio, con - un lado anterior , - un primer diodo y un segundo diodo que estan conectados aguas abajo uno de otro, en direccion alejandose del lado anterior , y en serie de forma electrica, de manera que el primer diodo se encuentra mas cerca del lado anterior que el segundo diodo , y - un contacto de tunel electrico entre el primer y el segundo diodo , donde el segundo diodo comprende una capa de diodos de SinGe1-n, en donde 0 ≤ n ≤ 1, caracterizado porque el primer diodo comprende una primera capa parcial de SiGeC, una segunda capa parcial de Si- Ge y una tercera capa parcial de SiGeC, y las capas parciales…

Célula fotovoltaica que comprende una película delgada de pasivación de óxido cristalino de silicio y procedimiento de realización.

(17/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: RIBEYRON,PIERRE-JEAN, MUR,PIERRE, MORICEAU,HUBERT.

Célula fotovoltaica con heterounión que comprende un sustrato de silicio cristalino que presenta un tipo de impurificación dado y una capa de silicio amorfo o micro-cristalino , caracterizada porque consta al menos de una película delgada de óxido cristalino de silicio , dispuesta directamente sobre una cara (1a, 1b) del sustrato , entre dicho sustrato y dicha capa de silicio amorfo o micro-cristalino.

PDF original: ES-2560216_T3.pdf

MÓDULO DE CÉLULAS SOLARES.

(01/06/2011) Módulo de células solares que comprende: un elemento fotovoltaico ; un elemento protector del lado de la superficie receptora de luz dispuesto sobre una superficie receptora de luz del elemento fotovoltaico ; y un elemento protector del lado de la superficie posterior dispuesto sobre una superficie posterior opuesta a la superficie receptora de luz del elemento fotovoltaico ; en el que el elemento fotovoltaico incluye: una primera película conductora transparente que está formada sobre una primera superficie que queda frente al elemento protector del lado de la superficie posterior ; y una segunda película conductora transparente que está formada sobre una segunda superficie que queda frente al elemento protector del lado de la superficie…

PILA SOLAR HETEROGÉNEA DE SILICIO AMORFO/CRISTALINO.

(31/05/2011) Pila solar heterogénea de silicio amorfo/cristalino que tiene por lo menos una capa absorbente de Si cristalino de un tipo de conducción, sobre uno de cuyos lados se disponen una capa emisora de Si amorfo del tipo opuesto de conducción, sobre ésta una capa de TCO y un contacto delantero, y sobre cuyo otro lado se dispone un contacto trasero, caracterizada porque - la capa emisora de Si amorfo tiene una pequeña densidad de defectos n(E) menor que 10 19 cm -3 y está caracterizada por una energía de Urbach menor que 90 meV, y de tal manera que el nivel de Fermi (EF) está situado cercano de la arista de la banda de valencia (EV) o de la arista de la banda de conducción (EC) de la capa emisora de Si amorfo