CIP-2021 : H01L 23/535 : que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/535 · · que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Almacenamiento de datos y estructuras apilables.
(18/09/2013) Un sistema que comprende una pila incluyendo:
un primer dispositivo de memoria ;
un segundo dispositivo de memoria ;
opcionalmente, dispositivos de memoria adicionales ;
un controlador acoplado eléctricamente al primer dispositivo de memoria; donde
- cada uno de dichos dispositivos de memoria comprende contactos de entrada en serie (D0-D7, CSI, DSI) y contactos de salida en serie (Q0-7, CSO, DSO), los contactos de salida en serie estando separados de los contactos de entrada en serie y todos los dispositivos de memoria 15 teniendo una misma configuración de la disposición de entrada/salida,
- el segundo dispositivo de memoria en la pila se fija como un dispositivo de memoria sucesivo al primer dispositivo de memoria y rotacionalmente desplazado…
PUENTE DE CONEXION (FUSIBLE) SEPARABLE E INTERRUPCION DE LA LINEA (ANTI-FUSIBLE) CONECTABLE ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y ACTIVACION DE UN FUSIBLE Y DE UN ANTI-FUSIBLE.
(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: POCKRANDT, WOLFGANG, WINNERL, JOSEF, ZETTLER, THOMAS, GEORGAKOS, GEORG.
LA INVENCION TRATA DE UN PUENTE DE UNION SEPARABLE (FUSE) CON UNA PISTA DE CONDUCTORES ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, QUE ESTA CONFIGURADA EN UN SUSTRATO (2, 2A) HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, QUE ES CONTINUA EN EXTENSION LONGITUDINAL Y QUE MUESTRA EN TRANSVERSAL RESPECTO A LA EXTENSION LONGITUDINAL UN DETERMINADO ANCHO, MOSTRANDO UN SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD UNA CONCENTRACION TAL CON RESPECTO AL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES QUE, A UNA TEMPERATURA DE ACTIVACION PREDETERMINADA QUE ES MAYOR QUE LA TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE UNION , TIENE LUGAR UNA INTERRUPCION POR TODO EL ANCHO (M) DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEBIDO A LA DIFUSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD Y/O DEL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEL SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPUESTO.
(01/12/1964). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
