CIP-2021 : H01L 23/522 : que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/522 · · que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN.

(15/04/2020). Solicitante/s: FUNDACION CENER-CIEMAT. Inventor/es: LAGUNAS ALONSO,Ana Rosa, BENGOECHEA APEZTEGUÍA,Jaione, ZUGASTI ROSENDE,Eugenia, RODRÍGUEZ HENCHE,María Jesús.

Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo frontal tiene al menos unas tiras y unas barras , que están formadas por un único material que consiste exclusivamente en un siliciuro metálico, el cual se obtiene depositando un metal sobre el sustrato de silicio y aplicando un tratamiento térmico para inducir una reacción entre el metal y el silicio, de manera que la célula solar fotovoltaica tiene una pérdida de potencia similar a la pérdida de las células convencionales, que tienen un electrodo de plata o un recubrimiento adicional de material conductor.

PDF original: ES-2754148_A1.pdf

Esquemas de interconexión posterior a la pasivación en la parte superior de los chips IC.

(26/06/2019) Una estructura de interconexión posterior a la pasivación, que comprende: uno o más circuitos internos que comprenden uno o más dispositivos activos formados en y sobre un sustrato semiconductor ; uno o más circuitos ESD formados en y sobre dicho sustrato semiconductor ; una capa de interconexiones de línea fina que comprende un sistema de metalización de línea fina, formado sobre dicho sustrato semiconductor en una o más capas delgadas de dieléctrico; una capa de pasivación sobre dicha capa de interconexiones de línea fina ; un sistema de metalización grueso y ancho que es una red de interconexión de cables anchos y gruesos formada sobre dicha capa de pasivación, en una o más capas gruesas de dieléctrico , en el que dichas capas gruesas de dieléctrico son más gruesas…

Inductor con plano de tierra modelado.

(15/05/2019) Un inductor, que comprende: un conductor formado en una primera capa; y un plano de tierra modelado formado en una segunda capa debajo del conductor que puede localizarse sobre un sustrato, donde el plano de tierra modelado tiene un área central abierta y comprende una pluralidad de blindajes , teniendo cada blindaje una pluralidad de ranuras , en el que la pluralidad de ranuras para cada blindaje se extiende desde un borde externo hacia un borde interno del blindaje y se detiene antes del borde interno, donde el borde externo del blindaje es distal al área central abierta y el borde interno es adyacente al área central abierta, en el que los blindajes están aislados eléctricamente entre sí por cortes localizados cerca de las esquinas del plano de…

Disposición de inductores sintonizables, transceptor, método y programa informático.

(14/06/2017) Una disposición de inductores sintonizables disponible en un chip o sustrato, comprendiendo el inductor sintonizable una primera parte (W1) de devanado conectada en un primer extremo a una primera entrada (INP) de la disposición de inductores sintonizables; una segunda parte (W2) de devanado conectada en un primer extremo a un segundo extremo de la primera parte (W1) de devanado; una tercera parte (W3) de devanado conectada en un primer extremo a una segunda entrada (INN) de la disposición de inductores sintonizables; una cuarta parte (W4) de devanado conectada en un primer extremo a un segundo extremo de la tercera parte de…

Disposición, transceptor, procedimiento y programa informático de inductor sintonizable.

(17/05/2017) Una disposición de inductor sintonizable, que se puede disponer en un chip o un sustrato, comprendiendo el inductor sintonizable una primera parte de bobinado (W1) conectada en un extremo a una primera entrada (INP) de la disposición de inductor sintonizable; una segunda parte de bobinado (W2) conectada en un extremo al otro extremo de la primera parte de bobinado (W1); una tercera parte de bobinado (W3) conectada en un extremo a una segunda entrada (INN) de la disposición de inductor sintonizable; una cuarta parte de bobinado (W4) conectada en un extremo al otro extremo de la tercera parte de bobinado (W3); en la que la primera, la segunda, tercera y la cuarta partes de bobinado (W1-W4) están…

CIRCUITO DE CONTACTO INTEGRADO.

(16/10/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE HA DESCUBIERTO UN METODO DE FABRICACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE LA FORMACION DE UNA CAPA ADICIONAL (E. G., 23, 25) DE SILICONA EN LAS APERTURAS EN CONTACTO, QUE SON RELLENADAS CON ALUMINIO (E. G., 21). LA CAPA ADICIONAL DE SILICONA (E. G., 23, 25), ES PUESTA ADYACENTE A LA CAPA DE ALUMINIO, PARA PROVEER SILICONA PARA SU INTERDIFUSION DENTRO DEL ALUMINIO, Y ASI PODER EVITAR LA PERFORACION EN LA UNION. LA SILICONA ADICCIONAL PUEDE SER IMPLANTADA POR IONES, O POR CAPAS FORMADAS SEPARADAMENTE (E. G., 23, 25).

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN INTERCONECTORES DE METAL MULTINIVEL.

(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: COCHRAN, WILLIAM T., HILLS, GRAHAM W., GARCIA, AGUSTIN M., YEH, JENN L.

SE DESCRIBE UNA DISPOSICION METALICA AUTOALINEADA, AUTOPLANAR DE INTERCONEXIONES MULTINIVEL QUE USA UNAS VENTANAS AUTOALINEADAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LAS TRINCHERAS SE GRABAN DENTRO DE UN DIELECTRICO Y ENTONCES, USANDO UNA CAPA DE PARADA DEL GRABADO SOBRE EL TECHO DEL DIELECTRICO SE PREVIENE EL GRABADO NO DESEADO DEL DIELECTRICO, LAS VENTANAS AUTOALINEADAS QUE EXPONEN LAS PORCIONES DE SUBSTRATO SE GRABAN EN EL DIELECTRICO . LAS VENTANAS AUTOALINEADAS SE PUEDEN FORMAR TAMBIEN SIN UNA MASCARA.

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