CIP-2021 : G11C 11/409 : Circuitos de lectura-escritura [R-W].

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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:

G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).

G11C 11/409 · · · · · · · Circuitos de lectura-escritura [R-W].

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

ARQUITECTURA DE REGISTRO EN SERIE MULTIPLEXADA PARA VRAM.

(16/11/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: HILTEBEITEL, NATHAN RAFAEL, TAMLYN, ROBERT, TOMASHOT, STEVEN WILLIAM.

UN DRAM DE DOBLE PUERTA EN EL QUE UN UNICO CIERRE EN SERIE SE COMPARTE ENTRE DOS PARES DE LINEAS DE BITS CONTINUOS DESDE DOS REDES DE CELDAS DE MEMORIA . UN PRIMER CONJUNTO DE DISPOSITIVOS MULTIPLEXORES SELECCIONA UNO DE LOS DOS PARES DE LINEAS DE BITS CONTINUOS DE CADA RED , Y UN SEGUNDO CONJUNTO DE DISPOSITIVOS MULTIPLEXORES ACOPLA SELECTIVAMENTE UNO DE LOS PARES DE LINEAS DE BITS CONTINUOS RESTANTES BIEN LA PUERTA EN PARALELO O AL CIERRE EN SERIE PARA EL ACCESO A LA PUERTA EN SERIE. ESTA COLOCACION DISMINUYE EN GRAN MEDIDA EL CONSUMO DEL ESTADO REAL DEL CHIP. AL MISMO TIEMPO, HACE POSIBLE UN CORRIMIENTO VERTICAL ILIMITADO A FAVOR DEL USO DE UN METODO DE COPIA QUE PUEDE LLEVARSE A CABO EN DOS CICLOS DE OPERACION, Y FACILITA LA ESCRITURA OCULTA, MIENTRAS AL MISMO TIEMPO REDUCE LA COMPLEJIDAD DE LA TEMPORIZACION.

UNA MEMORIA ELECTRONICA DE ALMACENAMIENTO DE DATOS.

(16/11/1984). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

MEMORIA ELECTRONICA DE ALMACENAMIENTO DE DATOS.INCLUYE: UNA PRIMERA CELDA , DOTADA DE UN PRIMER CONDENSADOR DE ALMACENAJE Y UN PRIMER DISPOSITIVO INTERRUPTOR COMO UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO; UNA SEGUNDA CELDA DOTADA DE UN SEGUNDO CONDENSADOR DE ALMACENAJE Y UN SEGUNDO DISPOSITIVO INTERRUPTOR COMO UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ; UNA LINEA COMUN DE PERCEPCION CONECTADA A UN ELECTRODO PORTADOR DE CORRIENTE DE (12 Y 14); UNA LINEA COMUN DE VOCABLOS QUE VA CONECTADA AL ELECTRODO DE PUERTA O DE CONTROL DE (14 Y 20); UNA PRIMERA LINEA DE BITIOS O DE PLACA; UNA SEGUNDA LINEA O DE PLACA; UN CIRCUITO DE IMPULSOS DE LINEA DE VOCABLOS; UN CIRCUITO DE AMPLIFICADOR DE PERCEPCION Y POLARIZACION DE TENSION; Y UN CIRCUITO DE DATOS Y POLARIZACION DE TENSION.

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