CIP-2021 : H01J 1/30 : Cátodos fríos.
CIP-2021 › H › H01 › H01J › H01J 1/00 › H01J 1/30[2] › Cátodos fríos.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).
H01J 1/00 Detalles de electrodos, de medios de control magnéticos, de pantallas, o del montaje o espaciamiento de estos elementos, comunes a dos o más tipos básicos de lámparas o tubos de descarga (detalles de dispositivos óptico-electrónicos o de captadores de iones H01J 3/00).
H01J 1/30 · · Cátodos fríos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
FUENTE DE ELECTRONES POR EMISION POR EFECTO DE CAMPO.
(16/08/2004) Se facilita una fuente de electrones en emisión de campo a bajo coste en la que los electrones se pueden emitir con alta estabilidad y alta eficiencia, y un procedimiento para producir la misma. En la fuente de emisión de electrones en campo, se forma una parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106 en el sustrato de silicio de tipo n sobre la superficie principal del mismo y se forma un electrodo de superficie 107 hecho de una película delgada de oro sobre la parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106. Y el electrodo óhmico 2 se forma sobre la superficie posterior del sustrato de silicio de tipo n 101. En esta fuente de electrones de emisión de campo 110, cuando el electrodo de superficie 107 está colocado en el vacío y se…
UTILIZACION DE UN CATODO FRIO EN LAMPARAS DE DESCARGA, LAMPARA DE DESCARGA CON ESTE CATODO FRIO Y MODO DE FUNCIONAMIENTO PARA ESTA LAMPARA DE DESCARGA.
(16/01/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: PATENT-TREUHAND-GESELLSCHAFT FUR ELEKTRISCHE GLUHLAMPEN MBH. Inventor/es: VOLLKOMMER, FRANK, HITZSCHKE, LOTHAR.
LA INVENCION SE REFIERE A UN CATODO FRIO PARA LAMPARAS DE DESCARGA GASEOSA, EN PARTICULAR PARA AQUELLAS LAMPARAS QUE FUNCIONAN CON UNA DESCARGA IMPEDIDA DIELECTRICAMENTE. EL CATODO FRIO INCORPORA DOS ELECTRODOS CONDUCTORES CONTRAPUESTOS, ENTRE LOS CUALES SE ENCUENTRA UN FERROELECTRICO A MODO DE SANDWICH. AL MENOS UNO DE LOS ELECTRODOS PRESENTA UNO O VARIOS ORIFICIOS. CUANDO EL CATODO ENTRA EN FUNCIONAMIENTO, SE APLICA SOBRE AMBOS ELECTRODOS UNA TENSION CUYA POLARIDAD CAMBIA RAPIDAMENTE PARA PROVOCAR LA LIBERACION DE ELECTRONES EN LA SUPERFICIE DEL FERROELECTRICO. LA TENSION DE SERVICIO DE LA LAMPARA DE DESCARGA PROVOCA UNA ACELERACION DE DICHOS ELECTRONES, QUE PASAN A TRAVES DE LOS ORIFICIOS EN DIRECCION AL ANODO Y SE UTILIZAN PARA ENCENDER O MANTENER ENCENDIDA LA LAMPARA.
NUEVA FUENTE DE EMISION ELECTRONICA CONSTITUIDA POR NANOESTRUCTURAS TUBULARES DE NITRURO DE BORO Y SU FABRICACION.
(01/10/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE VALLADOLID. Inventor/es: ALONSO MARTIN,JULIO ALFONSO, HERNANDEZ,EDUARDO, RUBIO SECADES,ANGEL.
"Nueva fuente de emisión electrónica constituida por nanoestructuras tubulares de nitruro de boro y su fabricación". En el diseño de la mayoría de los cátodos comerciales se busca obtener la mayor emisión de electrones al menor coste, es decir, operando a temperatura ambiente y a pequeños voltajes aplicados. Sin embargo, en la actualidad, para obtener emisiones electrónicas adecuadas por unidad de área típicamente se necesitan altas temperaturas (entre 1000 y a 2600 grados Kelvin) y/o un elevado campo eléctrico aplicado (10{sup,3}-10{sup,4} Voltios/micrómetro. Un micrómetro, {mi}m, es igual a 10{sup-6} metros). Con la siguiente invención se resuelven estos problemas mediante la caracterización de las estructuras geométricas óptimas de los nanotubos de nitruro de boro (BN) y el diseño de una fuente de emisión de electrones extremadamente ligera formada por estas estructuras tubulares de BN que funciona a pequeños campos eléctricos aplicados.
UN CATODO DE EMISION DE CAMPO Y METODOS PARA SU PRODUCCION.
(01/02/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: LIGHTLAB AB. Inventor/es: KAFTANOV, V. S., SUVOROV, A. L., SHESHIN, E. P.
SE PRESENTAN UN CATODO DE EMISION DE CAMPO MEJORADO Y METODOS PARA FABRICAR EL CATODO. EN LOS METODOS DE LA INVENCION, EL CATODO DE EMISION DE CAMPO SE FABRICA A PARTIR DE AL MENOS UN CUERPO QUE CONTIENE UNA PRIMERA SUSTANCIA. EL METODO INCLUYE: PREPARAR LAS IRREGULARIDADES EN LA SUPERFICIE EMISORA DEL CUERPO, AÑADIR A LA SUPERFICIE EMISORA DEL CUERPO IONES DE UNA SEGUNDA SUSTANCIA CON UNA BAJA FUNCION DE TRABAJO, Y MODIFICAR LA SUPERFICIE EMISORA INDUCIENDO LA EMISION DE CAMPO AL APLICAR AL CUERPO UN CAMPO ELECTRICO VARIABLE Y AUMENTAR LA FUERZA DEL CAMPO.
MATERIALES DE EMISION DE ELECTRONES DE CAMPO, Y DISPOSITIVOS QUE USAN TALES MATERIALES.
(16/08/2000) UN MATERIAL DE EMISION DE ELECTRONES POR CAMPO COMPRENDE UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR Y, COLOCADAS SOBRE EL MISMO, PARTICULAS ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS FORMADAS EN UNA CAPA DE MATERIAL INORGANICO ELECTRICAMENTE AISLANTE O RECUBIERTAS CON DICHO MATERIAL (POR EJEMPLO, CRISTAL). SE DEFINE UN PRIMER ESPESOR DE MATERIAL AISLANTE ENTRE CADA PARTICULA Y EL SUSTRATO Y UN SEGUNDO ESPESOR DE MATERIAL AISLANTE ENTRE LA PARTICULA Y EL ENTORNO EN EL CUAL ESTA DISPUESTO EL MATERIAL. LAS DIMENSIONES DE CADA PARTICULA ENTRE LOS ESPESORES PRIMERO Y SEGUNDO ES SIGNIFICATIVAMENTE MAYOR QUE CADA UNO DE LOS ESPESORES . AL APLICAR UN CAMPO ELECTRICO SUFICIENTE, CADA ESPESOR PROPORCIONA…
CUERPO CATODICO, CAÑON DE ELECTRONES Y TUBO DE RAYOS CATODICOS QUE UTILIZAN UN EMISOR FERROELECTRICO.
(01/05/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SAMSUNG DISPLAY DEVICES CO., LTD,. Inventor/es: JONG-SEO, CHOI, KWI-SEUK, CHOI, KYU-NAM, JOO.
CUERPO CATODICO, CAÑON DE ELECTRONES Y TUBO DE RAYOS CATODICOS QUE UTILIZAN UN EMISOR FERROELECTRICO. SEGUN LA INVENCION SE OBTIENE UN CUERPO CATODICO QUE INCLUYE; UN SUBSTRATO, UNA CAPA DE ELECTRODO INFERIOR FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, UNA CAPA CATODICA, FORMADA SOBRE LA CAPA DE ELECTRODO INFERIOR, QUE UTILIZA UN EMISOR FERROELECTRICO; UNA CAPA DE ELECTRODO SUPERIOR FORMADA SOBE LA CAPA DE ELECTRODO SUPERIOR, QUE TIENE ZONAS CAPACES DE EMITIR ELECTRONES DESDE LA SUPERFICIE DE LA MISMA; Y UNA CAPA DE ELECTRODOS MODULADORES FORMADAS SOBRE LA CAPA DE ELECTRODO SUPERIOR, PARA CONTROLAR LA EMISION DE ELECTRONES DESDE LAS ZONAS EMISORAS DE ELECTRONES DE LA CAPA DE ELECTRODO SUPERIOR. SE OBTIENE TAMBIEN SEGUN UN CAÑON ELECTRONICO QUE INCORPORA DICHO CUERPO CATODICO Y UN TUBO DE RAYOS CATODICOS QUE INCORPORA DICHO CAÑON ELECTRONICO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE ICONOSCOPIO PARA TELEVISION EN COLOR.
DISPOSITIVO DE EMISION POR CAMPO DE CATODO FRIO CON AUTORREGULACION DE EMISOR INTEGRAL.
(16/12/1997). Solicitante/s: MOTOROLA, INC.. Inventor/es: KANE, ROBERT, C..
UN DISPOSITIVO DE EMISION POR EFECTO DE CAMPO DE CATODO FRIO QUE INCLUYE UNA RESISTENCIA ESTABILIZADORA INTEGRALMENTE FORMADA CON LA MISMA Y ACOPLADA AL EMISOR PARA PERMITIR LA COMPENSACION ADECUADA PARA LAS VARIACIONES DE FABRICACION Y FUNCIONAMIENTO EN EMISION POR EFECTO DE CAMPO DESDE EL EMISOR ADJUNTO.
METODO DE MANUFACTURAR UNA FUENTE DE ELECTRONES, FUENTE DE ELECTRONES MANUFACTURADA CON DICHO METODO Y APARATO CREADOR DE IMAGENES QUE USA DICHAS FUENTES DE ELECTRONES.
(01/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YAMAGUCHI, EIJI, TOSHIMA, HIROAKI, SUZUKI, HIDETOSHI, OSADA, YOSHIYUKI, NOMURA, ICHIRO, ONO, TAKEO, KAWADE, HISAAKI, TAKEDA, TOSHIHIKO, HAMAMOTO, YASUHIRO, IWASAKI, TATSUYA, ISONO, AOJI, SUZUKI, NORITAKE, TODOKORO, YASUYUKI, OKUDA, MASAHIRO, SHINJO, KATSUHIKO.
UN METODO DE MANUFACTURAR UNA FUENTE DE ELECTRONES, QUE TIENE UN NUMERO DE DISPOSITIVOS DE EMISION DE ELECTRONES DE SUPERFICIE CONDUCTORA DISPUESTOS SOBRE UN SUBSTRATO EN DIRECCIONES DE FILAS Y COLUMNAS, INCLUYE LA FORMACION DE PARTES EMISORAS DE ELECTRONES DEL NUMERO DE DISPOSITIVOS DE EMISION DE ELECTRONES DE SUPERFICIE CONDUCTORA. LA FORMACION ES LLEVADA A CABO A BASE DE SUMINISTRAR CORRIENTE A TRAVES DEL NUMERO DE DISPOSITIVOS EMISORES DE ELECTRONES DE SUPERFICIE CONDUCTORA TRAS DIVIDIRLOS EN UN NUMERO DE GRUPOS. UN APARATO DE CREACION DE IMAGENES HACE PASAR UNA CORRIENTE A TRAVES DE UN NUMERO DE FUENTES DE ELECTRONES , QUE ESTAN FORMADOS EN UN SUBSTRATO Y DISPUESTOS EN FORMA DE MATRIZ, DEPENDIENDO DE UNA SEÑAL DE IMAGEN, Y SE FORMA UNA IMAGEN POR UNA EMISION DE LUZ EN RESPUESTA A LOS ELECTRONES EMITIDOS DESDE EL NUMERO DE FUENTES DE ELECTRONES.
ESTRUCTURAS Y PROCEDIMIENTOS DE FABRICACION DE CATODOS DE EMISION DE CAMPO.
(16/06/1997) ESTE INVENTO MUESTRA DE MANERA GENERAL NUEVAS ESTRUCTURAS PARA UN CATODO DE EMISION DE CAMPO Y PROCESOS PARA FABRICAR LOS MISMOS. LA EMISION DE CAMPO ESTA REALIZADA DE CUALQUIER MATERIAL CAPAZ DE EMITIR ELECTRONES BAJO INFLUENCIA DE UN POTENCIAL ELECTRICO. UN PROCESO PARA FABRICAR UNA INCORPORACION DEL INVENTO INCLUYE LOS PASOS: FORMAR UN ORIFICIO EN UN SUSTRATO , DEPOSITAR A UN PRIMER MATERIAL EN DICHO ORIFICIO PARA FORMAR UNA CUSPIDE , DEPOSITAR UN MATERIAL EMISOR DE ELECTRON PARA RELLENAR AL MENOS PARCIALMENTE DICHA CUSPIDE Y ELIMINAR EL PRIMER MATERIAL PARA EXPONER UNA PARTE DEL MATERIAL EMISOR DE ELECTRON. EL CATODO DE EMISION DE CAMPO POSEE VARIAS ESTRUCTURAS UNICAS TRIDIMENSIONALES. LA ESTRUCTURA BASICA COMPRENDE UNA CAPA DE MATERIAL CON PUNTAS DE CATODOS. PARA UNA ESTRUCTURA MAS COMPLEJA SE ALINEA PREFERENTEMENTE LA PUNTA DEL…
UNA FUENTE DE ELECTRONES DE EMISION DE CAMPO EN LA QUE SE EMPLEA UN REVESTIMIENTO ADIAMANTADO Y UN METODO PARA PRODUCIRLA.
(16/03/1997). Solicitante/s: MOTOROLA, INC.. Inventor/es: KANE, ROBERT, C., JASKIE, JAMES E.
UN DISPOSITIVO DE ELECTRONES DE EMISION DE CAMPO EN EL QUE SE EMPLEA UN EMISOR DE ELECTRONES FORMADO POR UN REVESTIMIENTO DE MATERIAL ADIAMANTADO DISPUESTO EN UNA SUPERFICIE DE UN ELECTRODO CONDUCTOR/SEMICONDUCTOR SELECTIVAMENTE FORMADO Y UN METODO DE FORMACION DEL DISPOSITIVO QUE INCLUYE UN PASO EN EL QUE SE IMPLANTAN IONES DE CARBONO EN UNA SUPERFICIE DE UN ELECTRODO CONDUCTOR/SEMICONDUCTOR PARA QUE FUNCIONE COMO PUNTOS DE NUCLEACION PARA LA FORMACION ADIAMANTADA.
DISPOSITIVO DE EMISION POR CAMPO CON CONTROL ACTIVO INTEGRADO VERTICAL.
(16/02/1996). Solicitante/s: MOTOROLA, INC.. Inventor/es: KANE, ROBERT, C..
SE PRESENTA UN APARATO ELECTRONICO UTILIZANDO DISPOSITIVO/S, EMISOR DE ELECTRONES DE CAMPO DE INDUCCION MEDIANTE CATODO FRIO CONTROLADO, QUE SE DISPONE DONDE SE HALLAN INEGRADAS DIRECTAMENTE EN UN COMPACTO,LINEAS DE CONEXION, , SECUENCIAS, SELECTOR DE OPERACIONES LOGICAS, IMPULSORES Y GENERADORES DE CONTROL.
UN EMISOR DE ELECTRONES CON EMISION DE CAMPO MOLDEADO EN EL QUE SE UTILIZA UN REVESTIMIENTO ADIAMANTADO Y METODO PARA PRODUCIR EL MISMO.
(01/11/1995). Solicitante/s: MOTOROLA, INC.. Inventor/es: KANE, ROBERT, C., JASKIE, JAMES E.
SE CONSTRUYE UN EMISOR DE ELECTRONES CON EMISION DE CAMPO EN EL QUE SE UTILIZA UN REVESTIMIENTO DE MATERIAL ADIAMANTADO DISPUESTO EN UNA SUPERFICIE DE UNA CAPA DE MATERIAL CONDUCTOR/SEMICONDUCTOR MEDIANTE UN METODO QUE INCLUYE LOS PASOS DE IMPLANTACION DE IONES DE CARBONO EN UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO SELECTIVAMENTE MOLDEADO PARA QUE FUNCIONE COMO PUNTOS DE NUCLEACION PARA LA FORMACION DEL MATERIAL ADIAMANTADO. SE DEPOSITA UNA CAPA CONDUCTORA EN EL MATERIAL ADIAMANTADO Y SE EXTRAE EL SUBSTRATO PARA DEJAR UN EMISOR DE ELECTRONES CON UN REVESTIMIENTO ADIAMANTADO.
UN DISPOSITIVO ELECTRONICO QUE EMPLEAN UNA FUENTE DE ELECTRONES DE AFINIDAD ELECTRONICA BAJA/NEGATIVA.
(01/01/1995). Solicitante/s: MOTOROLA, INC.. Inventor/es: KANE, ROBERT, C., JASKIE, JAMES E., ZHU, XIAODONG T.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE EMPLEAN FUENTES DE ELECTRONES QUE INCLUYEN UN MATERIAL QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE MUESTRA UNA AFINIDAD ELECTRONICA MUY BAJA/NEGATIVA, COMO, POR EJEMPLO, EL PLANO CRISTALOGRAFICO 111 DE TIPO DIAMANTE II-B. SE SUMINISTRAN LAS FUENTES DE ELECTRONES CON DISCONTINUIDADES GEOMETRICAS QUE MUESTRAN RADIOS DE CURVATURA SUPERIORES A, APROXIMADAMENTE, 1000 ANGSTROM QUE SUBSTANCIALMENTE MEJORAN LOS NIVELES DE EMISION DE ELECTRONES Y DISMINUYEN LAS NECESIDADES DE CARACTERISTICAS PUNTA/BORDE. SE DESCRIBEN LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE EMPLEAN TALES FUENTES DE ELECTRONES, ENTRE ELLOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE GENERACION DE IMAGENES, DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE FUENTES DE LUZ Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE AMPLIFICADORES DE SEÑALES DE INFORMACION.
ELEMENTO DE EMISION DE ELECTRONES SEMICONDUCTOR.
(16/11/1994) UN ELEMENTO DE EMISION SEMICONDUCTOR PROVISTO DE UNA JUNTA SCHOTTKY EN LA SUPERFICIE DE UN SEMICONDUCTOR, QUE COMPRENDE UNA PRIMERA REGION PROVISTA DE UNA PRIMERA CONCENTRACION PORTADORA, OTRA SEGUNDA REGION PROVISTA DE UNA SEGUNDA CONCENTRACION PORTADORA Y UNA TERCERA REGION PROVISTA DE UNA TERCERA CONCENTRACION PORTADORA. TODAS LAS REGIONES ESTAN SITUADAS POR DEBAJO DE UN ELECTRODO QUE FORMA LA JUNTA SCHOTTKY. LAS TRES CONCENTRACIONES PORTADORAS SATISFACEN LA CONDICION DE QUE LA PRIMERA CONCENTRACION PORTADORA DE LA PRIMERA REGION ES MAYOR QUE LA SEGUNDA CONCENTRACION PORTADORA DE LA SEGUNDA REGION, Y QUE, LA SEGUNDA CONCENTRACION PORTADORA DE LA SEGUNDA REGION ES MAYOR QUE LA TERCERA CONCENTRACION PORTADORA DE LA TERCERA REGION. LAS TRES REGIONES TIENEN UNA ESTRUCTURA TAL QUE AL MENOS UNA SEGUNDA REGION PROVISTA DE…
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA EMITIR ELECTRONES.
(31/01/1984). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA EMITIR ELECTRONES. CONSTA DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR DE SILICIO MONOCRISTALINO EN EL QUE SE HA FORMADO UNA ESTRUCTURA NPN CONSTITUIDA POR UNA PRIMERA REGION DE TIPO P QUE ESTA SITUADA ENTRE UNAS REGIONES SEGUNDA Y TERCERA DE TIPO N, GENERANDOSE EN DICHA ESTRUCTURA NPN ELECTRONES QUE SE OMITEN AL ESPACIO LIBRE DESDE UN AREA SUPERFICIAL DEL CUERPO , DESPUES DE FLUIR DE LA SEGUNDA REGION ATRAVESANDO LAS REGIONES PRIMERA Y TERCERA ; DE UNAS CONEXIONES DE ELECTRODO PERTENECIENTES A LA ESTRUCTURA NPN, LAS CUALES VAN SOLAMENTE A LAS REGIONES SEGUNDA Y TERCERA ; Y DE UNA REGION DE BARRERA QUE RESTRINGE EL PASO DE ELECTRONES DESDE LA REGION SEGUNDA A LA TERCERA, MIENTRAS NO SE APLIQUE UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE LAS CONEXIONES DE ELECTRODO, QUE POLARICEN POSITIVAMENTE LA REGION TERCERA CON RESPECTO A LA SEGUNDA.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA EMITIR UN FLUJO DE ELECTRONES.
(12/01/1984). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA EMITIR UN FLUJO DE ELECTRONES.CONSISTE EN QUE EL CUERPO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UNA REGION DE SUPERFICIE DE TIPO N QUE SE ENCUENTRA JUNTO AL AREA DE SUPERFICIE DESDE LA CUAL SE EMITEN LOS ELECTRONES CALIENTES, QUE SIRVEN PARA FORMAR ENTRE LA PRIMERA REGION DE TIPO N Y DICHA AREA DE SUPERFICIE UNA CRESTA DE POTENCIAL QUE ESTA SEPARADA DE DICHA AREA DE SUPERFICIE DE MANERA QUE SE PRODUZCA EN EL CUERPO SEMICONDUCTOR UN CAMPO DE DERIVACION QUE ACELERE LOS ELECTRONES HACIA DICHA AREA DE SUPERFICIE. COMPRENDE UN CUERPOSEMICONDUCTOR DE SILICIO MONOCRISTALINO QUE TIENE UN REGION DE TIPO N, SEPARADA DE LA REGION DEL CUERPO POR UNA BARRERA QUE INCLUYE DOS UNIONES P-N SITUADAS ENTRE LA REGION DE TIPO P Y LA PRIMERA Y SEGUNDA REGIONES Y RESPECTIVAMENTE, DOS CONEXIONES DE ELECTRODOS (12 Y 13) SIRVEN PARA CREAR UN SUMINISTRO DE ELECTRONES CALIENTES QUE SON INYECTADOS DESDE LA REGION A TRAVES DE LA BARRERA EN LA REGION , Y EMITIDAS DESDE UN AREA DEL CUERPO.
UN DISPOSITIVO PARA REGISTRAR O VISUALIZAR IMAGENES.
(01/12/1983) DISPOSITIVO PARA REGISTRAR O VISUALIZAR IMAGENES. COMPRENDE UN TUBO DE RAYOS CATODICOS , QUE TIENE, EN UNA AMPOLLA CON VACIO INTERIOR, UN ANTICATODO Y UN CATODO SEMICONDUCTOR , FORMANDO UN ANGULO (BAB) AGUDO LA NORMAL A LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL CATODO Y EL EJE DEL TUBO . EL CATODO CONSTA DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR, QUE COMPRENDE UNA UNION P-N, QUE GENERA ELECTRONES POR MULTIPLICACION DE AVALANCHA, POR APLICACION DE UNA TENSION EN SENTIDO INVERSO A TRAVES DE LA UNION P-N; OTRA REGION DE TIPO P, CON MAYOR CONCENTRACIONDE IMPUREZAS, CON EL FIN DE REDUCIR LA TENSION DE RUPTURA DE LA UNION P-N ANTERIOR, QUE FORMA UNA UNION P-N CON OTRA REGION DE TIPO N, Y QUE ESTA SITUADA EN UNA PRIMERA CAPA AISLANTE, SOBRE LA CUAL ESTA DISPUESTO…
UN DISPOSITIVO DE RAYOS CATODICOS.
(16/06/1981). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA GENERAR UN HAZ DE ELECTRONES QUE TIENEN UN CATODO. CONSTA DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR CON UNA UNION P-N ENTRE UNA REGION DE TIPO "N" Y UNA REGION DE TIPO "P" ADJUNTAS A LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR, EN EL QUE SE GENERAN ELECTRONES EN EL CUERPO SEMICONDUCTOR MEDIANTE MULTIPLICACION EN AVANLANCHA POR APLICACION DE UNA TENSION ELECTRICA EN LA DIRECCION INVERSA A TRAVES DE LA UNION P-N.
UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA GENERAR UN HAZ DE ELECTRONES.
(16/06/1981). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR GENERADOR DE ELECTRONES. CONSISTE EN UTILIZAR UN CUERPO SEMICONDUCTOR , POR EJEMPLO, DE SILICIO, CON UNA REGION DEL TIPO "U" EN LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR, FORMANDO EL CONJUNTO UNA UNION "P-N". SOBRE LA SUPERFICIE DEL CUERPO SE DEPOSITA UNA CAPA ELECTRICAMENTE AISLANTE DE OXIDO DE SILICIO, EFECTUANDOSE DESPUES UNA ABERTURA , PRODUCIENDOSE EN ESTA UNA ZONA DE AGOTAMIENTO Y DANDO COMO RESULTADO UNA TENSION DE DESCARGA DISRUPTIVA MAS PEQUEÑA QUE EN EL RESTO DEL CUERPO SEMICONDUCTOR, Y COMO RESULTADO UNA GENERACION DE HAZ DE ELECTRONES.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA GENERAR UN HAZ DE ELECTRONES.
(16/05/1981). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA GENERAR UN HAZ DE ELECTRONES. EN UNA PALANCA DE SILICIO SE FORMA UNA CAPA DE TIPO Y OTRA DE TIPO , CON UNA ZONA CON MAYOR CONCENTRACION DE IMPUREZA, CON LO QUE SE CONSIGUE UNA TENSION INVERSA MENOR PARA PRODUCIR AVALANCHA DE ELECTRONES. APLICANDO DICHA TENSION LOS ELECTRONES ATRAVIESAN LA CAPA TIPO , QUE ES MUY DELGADA, PASANDO AL ESPACIO HUECO , DONDE ENCUENTRAN UN ELECTRODO ACELERADOR , SALIENDO EL HAZ DE ELECTRONES SEGUN LA FLECHA . N.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/11/1979). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un dispositivo semiconductor para generar un flujo de electrones, que comprende un cátodo que tiene un cuerpo semiconductor que comprende una unión p- n cuya zona de empobrecimiento está junco a una superficie del cuerpo semiconductor, en la cual, aplicando una tensión de sentido inverso a través de la unión p-n, se generan electrones en el cuerpo semiconductor por multiplicación de avalancha y emergen del cuerpo semiconductor, caracterizado porque la superficie tiene una capa eléctricamente aislante en la que está dispuesta al menos una abertura en la que, al menos en el estado de funcionamiento, al menos una parte de la capa de empobrecimiento asociada con la unión p-n está junto a la superficie y porque está dispuesto al menos un electrodo de aceleración en la capa eléctricamente aislante, en el borde de la abertura en la inmediata proximidad de la parte adyacente a la superficie de la capa de empobrecimiento.
UN METODO DE FABRICAR UNA FUENTE DE ELECTRONES DE EMISION DE CAMPO PARA UN TUBO DE RAYOS CATODICOS.
(16/06/1978). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN TUBO DE HAZ DE ELECTRONES.
(16/03/1978). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES ELECTROEMISIVOS.
(16/11/1977). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, AGENCE NATIONAL.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO EMISOR DE CAMPO.
(01/03/1977). Solicitante/s: RCA CORPORATION.
Resumen no disponible.
