CIP-2021 : H01L 31/102 : caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/102 · · · · caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.

(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada; un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ; una capa de ánodo para recolectar agujeros; una capa de cátodo para recolectar electrones; en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…

DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ.

(01/11/1996) ESTA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DETECTOR DE LA LUZ QUE CONSTA DE UN PRIMER SUSTRATO SEMICONDUCTOR DEL TIPO CONDUCCION , UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA DEL TIPO CONDUCCION COLOCADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO Y UNA SEGUNDA REGION DEL PRIMER TIPO DE CONDUCCION QUE SE ENCUENTRA EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA . LA PRIMERA REGION ESTA RODEADA POR UNA SEGUNDA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCCION . SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA, HAY UN ELECTRODO EN LA PRIMERA REGION Y UNA CAPA QUE EVITA LA REFLEXION FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION DENTRO DEL ELECTRODO Y UNA PELICULA PROTECTORA DEL DISPOSITIVO FORMADA EN ESA PARTE DE LA PRIMERA REGION FUERA DEL ELECTRODO . EN LA CAPA DE CRISTAL SEMICONDUCTORA , SE FORMA UNA PELICULA METALICA EN…
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