CIP-2021 : H01L 31/112 : caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo,

p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/112 · · · · caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Detector de radiación y procedimiento para producir el mismo.

(01/07/2020) Detector de radiación que comprende: a) una estructura de antena ; y b) una estructura de transistor de efecto de campo, FET con una región de fuente , una región de compuerta y una región de drenaje , c) estando dispuestas estas regiones sobre un sustrato y formando estructuras de electrodo eléctricamente conductoras independientes entre sí a través de metalización; caracterizado porque d) la estructura de electrodo de compuerta envuelve completamente la estructura de electrodo de fuente o la estructura de electrodo de drenaje en un primer plano (E1); e) la estructura de electrodo envuelta …

Aparato fotodetector de puntos cuánticos y procedimientos asociados.

(01/05/2019) Aparato que comprende por lo menos un par de un primer (FET1) y un segundo (FET2) fotodetectores, comprendiendo cada fotodetector del par de fotodetectores (FET1, FET2) un elemento de canal , unos electrodos fuente y drenador respectivos configurados para posibilitar un flujo de corriente eléctrica a través del elemento de canal entre los electrodos fuente y drenador , y una pluralidad de puntos cuánticos configurados para generar unos pares electrónhueco al someterse a una exposición a radiación electromagnética incidente con el fin de producir un cambio detectable en la corriente eléctrica que fluye a través del elemento de canal , caracterizado por que el aparato está configurado de tal manera que el primer y el segundo fotodetectores (FET1, FET2) del par de fotodetectores generan unos pares electrón-hueco…