CIP-2021 : H01L 29/36 : caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 29/00 › H01L 29/36[2] › caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/36 · · caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.
(15/10/2019) Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende:
- una capa tampón que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida,
- una capa barrera que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida,
- siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida,
- una heterounión entre dicha capa tampón y dicha capa barrera y,
- un gas bidimensional de electrones localizado en un plano…
Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora.
(02/05/2012) Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona , encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona , con un segundo dopado y una cuarta zona subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración del segundo dopado, en el que la concentración del segundo dopado de la capa amortiguadora en…
PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO.
(16/02/2001) LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE, QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA SUMINISTRAR UNA RESISTENCIA DE COLECTOR BAJA EN EL FONDO DEL ISLOTE, SE REDUCEN MEDIANTE LA CONFECCION DE LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE UNA ZONA DE ISLOTE DE GROSOR REDUCIDO PARA PROPORCIONAR UN PASO DE CORRIENTE DE RESISTENCIA BAJA DESDE LA LOCALIZACION DE UN ISLOTE , DIRECTAMENTE POR DEBAJO DE LA REGION BASE AL CONTACTO DE COLECTOR . EL SUSTRATO DE SOPORTE ES DESVIADO A UN VOLTAGE QUE ES MENOR QUE EL VOLTAGE DEL COLECTOR, DE TAL MANERA QUE LA PARTE DEL ISLOTE DE COLECTOR DIRECTAMENTE…
SENSORES DE CAMPOS MAGNETICOS.
(16/12/1994). Solicitante/s: GENERAL MOTORS CORPORATION. Inventor/es: HEREMANS, JOSEPH PIERRE, PARTIN, DALE LEE.
UN MAGNETODIODO PARA SU USO EN UN SENSOR MAGNETICO QUE UTILIZA UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR (FORMADO VENTAJOSAMENTE A PARTIR DE UN MATERIAL DE ALTA MOVILIDAD, DE INTERVALO DE BANDA DIRECTO, TAL COMO ARSENIURO DE GALIO) QUE TIENE UNA RETICULACION SUPERPUESTA FORMADA POR UN PERFIL DE IMPURIFICACION N-I-P-I O SUPERESTRUCTURA. ESTA RETICULACION SUPERPUESTA SE UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA REGION DE GRAN TIEMPO DE RECOMBINACION PARA EL FLUJO NORMAL DE PORTADORES DE CARGA A PARTIR DE LOS CUALES SE DESVIAN LOS PORTADORES EN REGIONES DE CORTOS PERIODOS DE TIEMPO DE RECOMBINACION POR MEDIO DE UN CAMPO MAGNETICO QUE SE ESTA PERCIBIENDO.
PERFECCIONAMIENTOS EN LOS SISTEMAS SUPRESORES DE SOBRETENSIONES Y METODO DE FABRICACION CORRESPONDIENTE.
(16/03/1986). Solicitante/s: SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A..
PERFECCIONAMIENTOS EN LOS SISTEMAS SUPRESORES DE SOBRETENSIONES. CONSISTENTES EN UN SEMICONDUCTOR CON DOS TERMINALES CON ESTRUCTURA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE: UN SUSTRATO DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD (P) DELIMITADO POR UNA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL DE LA PLAQUETA; UNA CAPA DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD (N) DISPUESTA SOBRE EL SUSTRATO Y DELIMITADA POR UNA SEGUNDA SUPERFICIE PRINCIPAL DE LA PLAQUETA; UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE QUE SE EXTIENDE SOBRE LA SEGUNDA SUPERFICIE PRINCIPAL; UNA PRIMERA REGION DEL PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE SE EXTIENDE EN LA CAPA DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD A PARTIR DE LA SEGUNDA SUPERFICIE.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
