CIP-2021 : H01L 31/10 : caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/10[2] › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/10 · · caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE DETECCIÓN DE RADIACIÓN Y PARTÍCULAS EMPLEANDO UN DIODO SEMICONDUCTOR POR MODULACIÓN DE BANDAS DE ENERGÍA.
(09/07/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE GRANADA. Inventor/es: NAVARRO MORAL,Carlos, GÁMIZ PÉREZ,Francisco, MÁRQUEZ GONZÁLEZ,Carlos, SAMPEDRO MATARÍN,Carlos, DONETTI,Luca, NAVARRO MORAL,Santiago.
La presente invención describe un procedimiento que permite la detección de partículas o radiación empleando un diodo por modulación de bandas de energía.La utilización de esta invención resulta especialmente interesante para detectar radiación incidente de partículas cargadas u ondas electromagnéticas, por lo que también son objeto de la invención los dispositivos para la detección de partículas o radiación, que comprenden al menos un diodo por modulación de bandas de energía y los medios necesarios para llevar a cabo la detección.
PROCEDIMIENTO DE DETECCIÓN DE RADIACIÓN Y PARTÍCULAS EMPLEANDO UN DIODO SEMICONDUCTOR POR MODULACIÓN DE BANDAS DE ENERGÍA.
(01/07/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE GRANADA. Inventor/es: NAVARRO MORAL,Carlos, GÁMIZ PÉREZ,Francisco, MÁRQUEZ GONZÁLEZ,Carlos, SAMPEDRO MATARÍN,Carlos, DONETTI,Luca, NAVARRO MORA,Santiago.
Procedimiento de detección de radiación y partículas empleando un diodo semiconductor por modulación de bandas de energía.
La presente invención describe un procedimiento que permite la detección de partículas o radiación empleando un diodo por modulación de bandas de energía. La utilización de esta invención resulta especialmente interesante para detectar radiación incidente de partículas cargadas u ondas electromagnéticas, por lo que también son objeto de la invención los dispositivos para la detección de partículas o radiación, que comprenden al menos un diodo por modulación de bandas de energía y los medios necesarios para llevar a cabo la detección.
PDF original: ES-2770473_A1.pdf
PDF original: ES-2770473_B2.pdf
Aparato de detección de luz de alta velocidad.
(08/01/2020) Un aparato óptico que comprende:
un sustrato semiconductor de silicio;
una capa de absorción de silicio-germanio acoplada al sustrato semiconductor de silicio, incluyendo la capa de absorción una región de sensor óptico configurada para absorber fotones y para generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos;
uno o más primeros conmutadores controlados por una primera señal de control, estando configurados los uno o más primeros conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la primera señal de control; y
uno o más segundos conmutadores controlados por una segunda señal de control, estando configurados los uno o más segundos conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la segunda señal de control, en el que la segunda señal…
Aparato de detección de luz de alta velocidad.
(30/10/2019) Aparato óptico que comprende:
un sustrato semiconductor de silicio [reivindicación 14];
una capa de germanio-silicio acoplada al sustrato semiconductor, incluyendo la capa de germaniosilicio una región de sensor óptico [p. 8, 1. 28-29] [reivindicación 1] configurada para absorber fotones y para generar foto-portadores a partir de los fotones absorbidos, en el que una composición de la capa de germanio-silicio difiere de una composición del sustrato semiconductor;
uno o más primeros conmutadores controlados por una primera señal de control, estando configurados los uno o más primeros conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la primera señal de control; y
uno o más segundos conmutadores controlados por una segunda señal de control, estando configurados…
Aparato sensor de luz de germanio-silicio.
(09/10/2019). Solicitante/s: Artilux Inc. Inventor/es: LIU,HAN-DIN, NA,YUN-CHUNG, CHENG,SZU-LIN, CHEN,SHU-LU, CHEN,HUI-WEN, LIANG,CHE-FU.
Un conjunto de sensores de imagen que comprende:
un sustrato portador ;
un primer grupo de fotodiodos acoplados al sustrato portador, en donde el primer grupo de fotodiodos comprende un primer fotodiodo y en donde el primer fotodiodo comprende una capa semiconductora configurada para absorber fotones de las longitudes de onda del visible y generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos y
un segundo grupo de fotodiodos acoplados al sustrato portador, en donde el segundo grupo de fotodiodos comprende un segundo fotodiodo y en donde el segundo fotodiodo comprende una región de germanio-silicio fabricada en la capa semiconductora, configurada la región germanio-silicio para absorber fotones a las longitudes de onda del infrarrojo o del infrarrojo cercano y generar fotoportadores a partir de los fotones absorbidos;
en donde el primer y el segundo fotodiodos no se superponen en la dirección de la señal de la luz.
PDF original: ES-2765280_T3.pdf
Aparato optoelectrónico y método de fabricación del mismo.
(17/07/2019). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: KOPPENS,Frank, KONSTANATOS,GERASIMOS, KUFER,DOMINIK, NIKITSKIY,IVAN.
Aparato optoelectrónico con ganancia fotoconductiva que comprende un sustrato , una capa dieléctrica , una capa de transporte, y una capa de fotosensibilización , en donde la capa de transporte comprende al menos una capa semiconductora bidimensional y la capa de fotosensibilización comprende puntos cuánticos coloidales, caracterizado porque se forma una heterounión de tipo II entre la capa de fotosensibilización y la capa de transporte, y la capa semiconductora bidimensional , que es al menos una, comprende al menos uno de los siguientes: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2 and SnS2, y en el que los puntos cuánticos coloidales comprenden al menos uno de los siguientes: PbS, CIS, Ge, Si, HgTe, CIGS, CZTS, AgBiS2, SnO2, ITO y ZnO.
PDF original: ES-2749694_T3.pdf
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.
(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende:
una primera capa semiconductora tipo p;
una capa semiconductora tipo n;
una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada;
un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ;
una capa de ánodo para recolectar agujeros;
una capa de cátodo para recolectar electrones;
en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…
Estructura de dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de la misma.
(14/08/2013) Una heteroestructura de dispositivo semiconductor compuesto que forma un dispositivo detector híbrido que comprende un primer material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de menor energía del espectro electromagnético, y un segundo material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de mayor energía del espectro electromagnético dispuesto sobre una superficie del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el segundo material detector semiconductor de cristal en masa un material del grupo II-VI que comprende Cd1-(a+b)MnaZnbTe cristalino, donde a y/o b pueden ser cero, distinto del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el primer material detector semiconductor de cristal en masa un material para la detección…
DISPOSITIVO DETECTOR DE RADIACIONES INFRARROJAS.
(01/11/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BETHEA, CLYDE G., CHOI, KWONG-KIT, LEVINE, BARRY FRANKLIN, MALIK, ROGER JOHN, WALKER, JOHN FLEMING.
UN DETECTOR DE RADIACIONES INFRARROJAS A ALTA VELOCIDAD Y PEQUEÑO ANCHO DE BANDA, ESTA BASADO EN EL EFECTO TUNEL DE ELECTRONES FOTOEXCITADOS FUERA DE FUENTES CUANTICAS. LA RADIACION INFRARROJA INCIDE SOBRE UNA GRAN MALLA DE FUENTES CUANTICAS DOPADAS AUMENTANDO LA RADIACION RESONANTE ENTRE SUBBANDAS, LA CUAL HACE QUE LOS ELECTRONES PASEN DESDE EL ESTADO DE MINIMA ENERGIA A UN ESTADO EXCITADO. SE GENERA UNA CORRIENTE FOTOELECTRICA CUANDO LOS ELECTRONES EXCITADOS SALEN DE LAS FUENTES CUANTICAS POR EFECTO TUNEL. SE PUEDEN USAR, CONVENIENTEMENTE, MATERIALES DE LOS GRUPOS III-V EN LA REALIZACION DEL DISPOSITIVO. PREFERIBLEMENTE, SE FORMAN BARRERAS POTENCIALES DE FUENTES CUANTICAS PARA FACILITAR EL EFECTO TUNEL RESONANTE DE LA CORRIENTE FOTOELECTRICA EN COMPARACION CON LA CORRIENTE NO LUMINOSA. EL MEJOR FUNCIONAMIENTO DEL DISPOSITIVO SE REALIZA CON UN ELEVADO VOLTAJE DE POLARIZACION, DANDO LUGAR A UN AUMENTO DE LA CORRIENTE FOTOELECTRICA POR EL EFECTO DE AVALANCHA EN LA FUENTE CUANTICA.
PIXEL FOTOSENSIBLE CON ELEMENTO EXPUESTO A BLOQUEO.
(16/10/1993). Solicitante/s: OIS OPTICAL IMAGING SYSTEMS, INC. Inventor/es: KITAMURA, KOICHI, SWATZ, LOUIS D., CATCHPOLE, CLIVE, YANIV, ZVI.
MEDIANTE EL MANTENIMIENTO DE LOS PRIMEROS ELECTRODOS DE UN ELEMENTO FOTOGENERADOR Y UN ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE A UN POTENCIAL COMUN, MIENTRAS SE INTERCONECTAN ELECTRICAMENTE LOS SEGUNDOS ELECTRODOS DE AQUELLOS, EL ELEMENTO DE BLOQUEO NO NECESITA SER CUBIERTO DE LA RADIACION INCIDENTE PORQUE LA SEÑAL ELECTRICA ALMACENADA GENERADA POR EL ELEMENTO FOTO GENERADOR NO SERA DISIPADA POR LOS PARES DE PORTADORES FOTOGENERADOS APORTADOS POR EL ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE.
DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO.
(16/10/1993) UN DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO SE CARACTERIZA POR TENER FOTODIODOS CON SUS RESPECTIVAS PAREDES CUANTICAS EN REGIONES INTRINSECAS. LOS FOTODIODOS SE CONECTAN EN SERIE CON UN INTERRUPTOR DIPOLAR Y UNA FUENTE DE POTENCIA ELECTRICA PARA EMITIR UNOS HACES OPTICOS DE SALIDA QUE TIENEN VARIAS COMBINACIONES DE NIVELES DE ENERGIA QUE DEPENDEN DEL ESTADO DEL INTERRUPTOR BIPOLAR Y DE LA RELACION DE DOS HACES DE CONTROL OPTICO INCIDENTES EN LOS FOTODIODOS. EN UN ESTADO DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO CON EL INTERRUPTOR BIPOLAR EN ESTADO DE CONDUCCION, LOS DOS HACES DE SALIDA TIENEN NIVELES ALTO Y BAJO COMPLEMENTARIOS, QUE REPRESENTAN POR EJEMPLO LOS NIVELES LOGICOS ALTO Y BAJO "1" Y "0". EN UN SEGUNDO ESTADO, LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE SALIDA SON RESERVADOS,…
FABRICACION DE UNA CAPA DE CIERRE.
(01/10/1993). Solicitante/s: BT&D TECHNOLOGIES LIMITED. Inventor/es: SARGOOD, STEPHEN KEITH.
DISPOSITIVO DE EMPALME P-N PLANO, CON CONTACTO ELECTRICO CON LA REGION ACTIVA. LA CAPA DE CIERRE HA SIDO EXTRAIDA SELECTIVAMENTE A TRAVES DE UNA MASCARA , BIEN ANTES DE UNA FASE DE DIFUSION EN LA QUE SE FORMA LA UNION, BIEN DIFUNDIENDOSE PREVIAMENTE LA IMPUREZA A TRAVES DE LA CAPA . EN ESTE ULTIMO CASO, LA CAPA DE CIERRE SE GRABA PREFERENTEMENTE A TRAVES DE UNA SEGUNDA MASCARA QUE TIENE UNA VENTANA MENOR EN CORRESPONDENCIA CON LA DE LA MASCARA UTILIZADA PARA LA FASE DE DIFUCION. EL DISPOSITIVO TIENE ESPECIAL APLICACION COMO DETECTOR FOTODIODO EN COMUNICACIONES OPTICAS.
DISPOSITIVO CON SENSOR DE RADIACION.
(16/05/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: BETHEA, CLYDE G., LEVINE, BARRY FRANKLIN, BRASEN, DANIEL, WILLENS, RONALD HOWARD.
LOS EFECTOS DE RADIACION INDUCIDA EN ESTRUTURAS POR CAPAS DE MATERIALES CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORTES, SE UTILIZAN EN DISPOSITIVOS TALES COMO POR SENSORES DE POSICION ALTAMENTE NO LINEALES O LINEALES. TALES DISPOSITIVOS INCLUYEN UNA ESTRUCTURA DE CAPAS ALTERNADAS DE MATEIALES CONDUCTORE SY SEMICONDUCTORES Y SE PROPORCIONAN CONTACTOS ELECTRICOS ENTRE LOS CUALES APARECE VOLTAJE DE RADIACION INDUCIDA. ENTRE LOS MATERIALES DE LAS CAPAS HAY SILICONA Y TITANIO, Y LOS DISPOSITIVOS RESULTANTES POR SENSIBLES A RADIACION ELECTROMAGNETICA AL IGUAL QUE REACCIONAN LAS PARTICULAS.
UNA DISPOSICION PARA DETECTAR RADIACION.
(16/05/1965). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
