(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende: una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03; un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.

PDF original: ES-2720596_T3.pdf

(22/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: Kromek Limited . Inventor/es: ROBINSON, MAX, BASU,ARNAB, CANTWELL,BEN.

Un aparato para crecimiento de cristales desde fase vapor, el aparato comprende: un solo calentador multizona dispuesto para calentar una zona calentada para ofrecer un perfil de temperatura predeterminado a lo largo de la longitud de la zona calentada; un tubo generalmente con forma de U dispuesto para ser proporcionado dentro de la zona calentada, el tubo generalmente con forma de U tiene una primera rama, una segunda rama y una unión que conecta las ramas primera y segunda, en donde la primera rama tiene una primera longitud y la segunda rama tiene una segunda longitud diferente de la primera longitud, y en donde la primera rama tiene una región de origen dispuesta para contener un material de origen; y, un soporte para soportar una semilla en la segunda rama de tal manera que el soporte y la región de origen estén espaciadas longitudinalmente dentro de la zona calentada para proporcionar un diferencial de temperatura predeterminado entre la región de origen y el soporte.

PDF original: ES-2554606_T3.pdf

(01/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, VERGNAUD, RENE, CHARDON, JEAN-PIERRE.

SE FORMAN UNA MOLECULAS PRIMARIAS POR SUBLIMACION EN UNA CAMARA DE SUBLIMACION Y DESPUES SE TRANSFIEREN CON UN CAUDAL DE TRANSFERENCIA EN UNA CABEZA DE CRAQUEO A TEMPERATURA SUPERIOR PARA SER TRANSFORMADAS EN MOLECULAS SECUNDARIAS MAS LIGERAS Y FORMAR CHORROS MOLECULARES . SEGUN LA INVENCION EL CAUDAL DE TRANSFERENCIA ES REGULADO POR UNA REGULACION POR CAUDAL VECTOR EFECTIVO QUE ES EL DE UN GAS VECTOR INTRODUCIDO EN LA CAMARA DE SUBLIMACION POR UN TUBO DE TRAIDA Y ASPIRADO POR UN TUBO DE ASPIRACION . LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE A LA REALIZACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DEL TIPO III-V POR EPITAXIA POR CHORROS MOLECULARES.

(16/05/1986). Solicitante/s: NV PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN.

APARATO DE DESARROLLO DE EPITAXIS DE HAZ MOLECULAR. CONSTA DE: UNA CAMARA DE VACIO QUE CONTIENE TRES CELDAS DE EFUSION , MONTADAS DENTRO DE UNA CUBIERTA ENFRIADA POR NITROGENO LIQUIDO, DOTADAS CON ELEMENTOS DE CALENTAMIENTOS Y DE OBTURADORES MECANICOS ACCIONADOS PARA EMITIR O INTERRUMPIR UN HAZ MOLECULAR DE MATERIAL DE FUENTE RESPECTIVA Y UTILIZADAS COMO FUENTES DE ARSENICO, GALIO Y ALUMINIO Y UN SOPORTE DE SUSTRATO GIRATORIO QUE SOPORTA A UN SUSTRATO MONOCRISTALINO DE GAAS/ UNOS CONTROLADORES QUE CONTROLAN LOS REGIMENES DE ENTRADAS DE CALOR DE LAS FUENTES Y SE PROGRAMAN MEDIANTE UN MICRO-ORDENADOR Y UN SISTEMA DE BOMBA , PARA EVACUAR A . SE UTILIZA PARA PRODUCIR DIODOS DE LASER Y DIODOS DE MICRO-ONDAS.

(01/12/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Método para el tratamiento de un sólido, más en particular un material semiconductor, por ejemplo para la formación de cristales únicos, purificación y/o dotación, caracterizado por el hecho que una cantidad de esta substancia, o una o más componentes de esta substancia conformada para constituir un conjunto alargado, es sometida localmente a una zona de temperatura elevada en que esta substancia es convertida en una forma de vapor, siendo desplazada dicha zona de temperatura elevada en la dirección longitudinal del referido conjunto, siendo convertidas partes sucesivas del conjunto en una forma de vapor en un lado de esta zona, y cristalizando el material desde la fase de vapor en el otro lado de la zona.