CIP-2021 : C23C 16/08 : a partir de haluros metálicos.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/08 · · a partir de haluros metálicos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de deposición química de vapor a presión atmosférica para producir una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor.
(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…
DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR UTILIZANDO UN PRECURSOR DE IODURO.
(16/04/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: REDDY, SRINIVASA S.N., KNICKERBOCKER, JOHN ULRICH, WALL, DONALD RENE.
LA PRESENTE INVENCION, DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR (CVD) EN EL QUE SE DEPOSITA NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, COMO NI/CU, NI/CO, SOBRE SUPERFICIES METALICAS QUE SON SUSCEPTIBLES DE RECIBIR NIQUEL O ALEACIONES DEL MISMO, UTILIZANDO UNA FUENTE DE IODURO , PREFERIBLEMENTE UNA SAL DE IODURO, COMO IODURO DE COBRE.
METODO PARA REVESTIR UNA SUPERFICIE CON UNA CAPA RESISTENTE POR DEPOSICION QUIMICA DESDE FASE VAPOR.
(16/05/1998). Solicitante/s: ELF ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.. Inventor/es: BUCHANAN, JEROME, LAWRENCE, DIRKX, RYAN, RICHARD.
UN SUBSTRATO SE PROVEE CON UN REVESTIMIENTO RESISTENTE, POR MEDIO DE LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR DE UN MATERIAL DURO, PASANDO UNA MEZCLA GASEOSA DE UN PRECURSOR DEL MATERIAL, UN CATALIZADOR, UN OXIDANTE, Y UN GAS PORTADOR POR LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO, Y ELIMINANDO DE ESTA LOS MATERIALES NO REACCIONADOS Y LOS PRODUCTOS SECUNDARIOS; SE OBTIENEN MEZCLAS DE MATERIALES DUROS EMPLEANDO UN CO PREFERIBLE QUE EL SUBSTRATO SE CALIENTE. LA FIGURA MUESTRA UN ESQUEMA DEL APARATO QUE INCLUYE: EL PRECURSOR Y EL CATALIZADOR QUE SE VAPORIZAN Y SE TRANSFIEREN AL REACTOR . UNA MEZCLA DE OXIDO DE CROMO Y OXIDO DE ESTAÑO ES EL MATERIAL DE REVESTIMIENTO PREFERIDO, OBTENIDOS POR DESCOMPOSICION DE UN CLORURO DE CROMILO Y UN TRICLORURO DE MONOBUTILESTAÑO EN LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO, EN PRESENCIA DE METILISOBUTILCETONA Y AIRE. TAMBIEN SE PUEDEN EMPLEAR OTRAS MEZCLAS METALICAS.
UN METODO PARA SOLDAR UNA CAPA CONDUCTIVA EN UNA ESTRUCTURA DE ELECTRODO.
(16/03/1992) UNA DENSA Y ELECTRONICAMENTE CONDUCTIVA CAPA DE INTERCONEXION SE LIGA A UNA ESTRUCTURA DE ELECTRODO AEREO POROSA, TUBULAR Y ELECTRONICAMENTE CONDUCTIVA, SOPORTADA OPCIONALMENTE POR UN SOPORTE CERAMICO, POR (A) FORMANDO UNA CAPA DE PARTICULAS DE OXIDO DE AL MENOS UNO DE LOS METALES CA, SR, CO, BA O MG SOBRE UNA PARTE DE UNA PRIMERA SUPERFICIE DEL ELECTRODO AEREO , (B) CALENTANDO LA ESTRUCTURA DEL ELECTRODO, (C) APLICANDO UN VAPOR HALURO CONTENIENDO AL MENOS ALURO DE LANTANO Y HALURO DE CROMO A LA PRIMERA SUPERFICIE Y APLICANDO UNA FUENTE DE OXIGENO A UNA SEGUNDA SUPERFICIE OPUESTA AL ELECTRODO AEREO DE MODO QUE ELLAS ENTRAN EN CONTACTO EN DICHA PRIMERA SUPERFICIE, PARA CAUSAR UNA REACCION DEL OXIGENO Y EL HALURO Y OCASIONAN UNA DENSA ESTRUCTURA DE OXIDO DE LANTANO-CROMO A TRATAR, DE LA PRIMERA SUPERFICIE DE ELECTRODO, ENTRE…
