CIP 2015 : G11C 11/16 : que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.

CIP2015GG11G11CG11C 11/00G11C 11/16[2] › que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.

Notas[t] desde G01 hasta G12: INSTRUMENTOS
Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:

G SECCION G — FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00).

G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).

G11C 11/16 · · que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema de memoria de múltiples flujos de instrucciones.

(06/05/2020) Un dispositivo de memoria que comprende: un decodificador ; una pluralidad de células de memoria , en el que cada una de las células de memoria comprende: un primer elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un primer elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un primer hilo; y un segundo elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un segundo elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un segundo hilo, en el que cada uno del primer elemento de memoria no volátil y el segundo elemento de memoria no volátil es un elemento de memoria multipuerto, y en el que el decodificador está configurado…

Procedimiento para determinar el estado de espín de compuestos de transición de espín, uso del procedimiento para leer datos digitales y medio de memoria óptica o magnetoóptica.

(10/07/2019) Procedimiento para determinar el estado de espín de un compuesto de transición de espín por medio de radiación con luz en un dominio de longitudes de onda definido para provocar una interacción de la luz con el compuesto de transición de espín, detección de variaciones de las propiedades de la luz producidas por esta interacción y correlación de estas variaciones con el estado de espín del compuesto, utilizándose un compuesto de transición de espín con propiedades quiroópticas variables en función del estado de espín, realizándose la radiación con luz polarizada y correlacionándose la variación de las propiedades…

Generación de un estado no reversible en una célula de bits que tiene una primera unión de túnel magnética y una segunda unión de túnel magnética.

(02/07/2019). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: YU, NICHOLAS, K., ASHKENAZI,ASAF, KANG,Seung H, NOWAK,MATTHEW MICHAEL, KIM,TAE HYUN, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA, LEE,KANGHO, KIM,JUNG PILL, RAO,HARI M, HSU,WAH NAM, HAO,WUYANG, SUH,JUNGWON, MILLENDORF,STEVEN M.

Un procedimiento que comprende: aplicar una tensión de programa a una primera unión de túnel magnética MTJ de una célula de bits sin aplicar la tensión de programa a una segunda MTJ de la célula de bits para generar un estado no reversible en la célula de bits ; caracterizado por detectar el estado no reversible comparando un primer valor leído en la primera MTJ y recibido en una primera entrada de un amplificador diferencial con un segundo valor leído en la segunda MTJ y recibido en una segunda entrada del amplificador diferencial , en el que el primer valor corresponde a una primera tensión de una primera línea de bits (230, 332BL) acoplada a la primera MTJ y el segundo valor corresponde a una segunda tensión de una segunda línea de bits (232, 332BL ) acoplada a la segunda MTJ.

PDF original: ES-2718487_T3.pdf

Uso de etiquetas RFID hechas resistentes a la radiación gamma en dispositivos farmacéuticos.

(28/02/2019). Solicitante/s: EMD Millipore Corporation. Inventor/es: BURKE,AARON.

Procedimiento, que comprende: fijar etiquetas a componentes farmacéuticos, comprendiendo dichas etiquetas un dispositivo de memoria grabable, no basado en carga, de tal manera que el contenido de dicho dispositivo de memoria no se ve corrompido por la radiación gamma; almacenar en dichas etiquetas información sobre procedimiento de prueba específica del componente; exponer dichos componentes a radiación gamma para esterilizar dichos componentes; después de la exposición, usar un lector para transferir a un módulo comprobador de integridad automatizado dicha información de procedimiento de prueba específica del componente asociada a cada componente.

PDF original: ES-2702387_T3.pdf

Métodos y sistemas para gestión de datos de memoria no volátil.

(09/01/2019) Un sistema, que comprende: una primera matriz de memoria no volátil resistiva ; una segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores ; y un controlador de memoria configurado para: leer bits de datos almacenados en la primera matriz de memoria no volátil resistiva ; escribir los bits de datos leídos de la primera matriz de memoria no volátil resistiva y un bit indicador en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores , indicando el bit indicador si bits de datos almacenados en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores son válidos; determinar si el bit indicador es válido en respuesta a un encendido del sistema después de un evento de alta temperatura,…

Utilización de etiquetas RFID endurecidas a los rayos gamma en dispositivos farmacéuticos.

(18/05/2016). Solicitante/s: EMD Millipore Corporation. Inventor/es: BURKE,AARON.

Un sistema de gestión de activos farmacéuticos, que comprende componentes farmacéuticos, cada uno tiene una etiqueta fijada al mismo, caracterizado porque dicha etiqueta se puede reescribir y comprende un dispositivo de memoria basado en "no cargado", de manera que los contenidos de dicho dispositivo de memoria no se corrompe por la radiación gamma, en donde el dispositivo de memoria contiene información específica de los componentes.

PDF original: ES-2585588_T3.pdf

Procedimiento y dispositivo para manipular y seleccionar espines.

(07/10/2015) La presente invención consiste en construir un dispositivo tipo Hall al que se incorpora, como novedad, un tercer elemento: Este tercer elemento es una fuente que produce una radiación electromagnética o campo magnético oscilante vectorB1, resonante con la transición entre los estados up y down del espín de los electrones generados por el campo magnético vectorB0. El plano de oscilación de la componente magnética de radiación vectorB1, es el definido por los ejes X e Y. Es decir, es perpendicular al campo magnético vectorB0.

Estructura de unión túnel magnética.

(01/04/2015) Una célula MTJ que comprende: una zanja en un sustrato ; una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma de estructura MTJ, incluyendo la estructura MTJ: un electrodo inferior depositado dentro de la zanja para cubrir una superficie inferior y una superficie lateral de la zanja; una pila MTJ depositada sobre el electrodo inferior dentro de la zanja, comprendiendo la pila MTJ una capa fija, una barrera de túnel, y una capa libre; y un electrodo central dentro de la zanja acoplada a la pila MTJ; caracterizada porque: la pila MTJ dentro de la zanja forma al menos dos paredes laterales verticales…

Control de voltaje de línea de palabras en STT-MRAM.

(17/12/2014) Una memoria de acceso aleatorio magneto-resistente, de fuerza de torsión de transferencia de giro, en adelante denominada STT-MRAM, que comprende: una célula de bits con un empalme de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en en la que la célula de bits está acoplada con una línea de bits y una línea de origen; y un controlador de línea de palabras acoplado con una compuerta del transistor de línea de palabras, en en la que el controlador de línea de palabras está configurado para proporcionar un voltaje de línea de palabras (VWL) mayor que un voltaje de suministro por debajo…

Sistema y procedimiento para leer y escribir datos en un elemento de unión-túnel magnética.

(03/12/2014) Un dispositivo que comprende: un elemento de unión-túnel magnética (MTJ) de par de transferencia de espín (STT); y un transistor acoplado al elemento de STT-MTJ, en el que el transistor incluye una primera puerta y una segunda puerta , y define unos canales de inversión primero y segundo controlados por las puertas primera y segunda que definen diferentes rutas de lectura y escritura.

Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos.

(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende: una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también, una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…

Dispositivo de memoria para aplicaciones de memoria resistiva.

(30/09/2013) Un dispositivo de memoria que comprende: una célula de memoria que incluye un elemento de memoria resistivaacoplado a un transistor de acceso, teniendo el transistor de acceso un primerespesor de óxido para permitir la operación de la célula de memoria a una tensión operativa; yun primer amplificador configurado para acoplar la célula de memoria a una tensión dealimentación que es mayor que un límite de tensión para generar una señal de datos basada en unacorriente que atraviesa la célula de memoria, caracterizado porque el primer amplificador incluye un transistor de fijación de nivel que tiene unsegundo espesor de óxido que es mayor que el primer espesor…

Lógica programable por software utilizando dispositivos magnetorresistivos de par de transferencia de espín.

(11/09/2013) Una formación lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de empalme de túnel magnético, MTJ, de par de transferencia deespín, dispuestos en una formación; y una pluralidad de fuentes programables acopladas con los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , caracterizada porque: un primer grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada, un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna de un plano de salida, y el plano de entrada y el plano de salida están combinados para formar unafunción lógica basada…

Procedimiento y dispositivo para la generación mejorada de campos magnéticos durante una operación de escritura de un dispositivo de memoria magnetorresistente.

(06/06/2013) Una matriz con celdas de memoria magnetorresistentes organizadas de manera lógica en filas y columnas, incluyendo cada celda de memoria un elemento magnetorresistente , comprendiendo la matriz un conjunto de líneas de columna y un conjunto de líneas de fila , extendiéndose las líneas de fila en una dirección de fila y extendiéndose las líneas de columna en una dirección de columna, siendo una línea de columna una banda conductora continua que está acoplada de manera magnética al elemento magnetorresistente de cada una de las celdas de memoria de una columna, estando dotada cada línea de columna de una línea de columna de retorno correspondiente que está configurada para formar una trayectoria de…

Diseño estructural de matriz de células binarias de memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva (MRAM).

(17/04/2013) Una célula binaria de Memoria de Acceso Aleatorio Magnetoresistiva de Transferencia de Par de Giro (STTMRAM)que comprende: una primera capa de metal que forma una línea de fuente en un primer plano, que incluye una primeraextensión lateral que extiende la línea de fuente en el primer plano y en una dirección perpendicular a uneje longitudinal de la línea de fuente, de manera que una porción de la primera extensión lateral no sesolapa con una segunda capa de metal, que forma una línea de bit; y una segunda capa de metal formada enun segundo plano y que tiene un eje longitudinal que es paralelo al eje longitudinal de la primera capa de metal,en la que la primera capa de…

Envoltura y enfoque para circuitos integrados resistente a la manipulación.

(08/04/2013) Una disposición de circuito integrado que es susceptible a la corrupción de datos debido a un campo magnéticolocal, comprendiendo la disposición de circuito integrado: un circuito integrado ; un sistema de almacenamiento de datos que tiene una pluralidad de elementos de circuito magnéticamentesensibles adaptados para almacenar estados lógicos en respuesta a señales eléctricas de control; yuna envoltura de circuito integrado que encierra el circuito integrado y que incluye un dispositivomagnético adaptado para generar un campo magnético local que es suficientemente fuerte para alterar elestado lógico de al menos uno…

lógica programable por software utilizando dispositivos magnetorresistivos de par de transferencia por rotación.

(25/07/2012) Una matriz lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de unión de túnel magnético de par de transferencia por rotación, MTJ, dispuestos en una matriz; y una pluralidad de fuentes programables acopladas a los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , en la cual un primer grupo de dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada , en la cual un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna deun plano de salida , y una salida de cada fila del plano de entrada está acoplada a un dispositivoMTJ de la al menos una columna del planos de salida , y en el cual el plano de entrada y el plano salida están combinados para formar una…

MATERIALES MAGNETICOS.

(16/03/2005). Solicitante/s: CAMBRIDGE UNIVERSITY TECHNICAL SERVICES LIMITED. Inventor/es: COWBURN, RUSSELL UNIVERSITY OF CAMBRIDGE, WELLAND, MARK UNIVERSITY OF CAMBRIDGE.

Un elemento de memoria, que comprende nanoimanes que tienen una simetría rotacional seleccionada con el fin de proporcionar una alta remanencia y una adecuada coercitividad, y en el que el elemento tiene simetría rotacional de orden 3 ó 5.

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .