CIP 2015 : C30B 28/02 : directamente a partir del estado sólido.

CIP2015CC30C30BC30B 28/00C30B 28/02[1] › directamente a partir del estado sólido.

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.

C30B 28/02 · directamente a partir del estado sólido.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de obtención de nanohilos de silicio, en ausencia de fuente gaseosa de silicio, sobre diferentes sustratos.

(01/12/2014) Procedimiento de obtención de nanohilos de silicio, en ausencia de fuente gaseosa de silicio, sobre diferentes sustratos. La presente invención proporciona un procedimiento de obtención de nanohilos de silicio, con diámetro y longitud homogéneos y controlados, sobre diversos sustratos, entre los cuales se incluyen aquellos sustratos diferentes al silicio. Se trata de un proceso térmico que utiliza como catalizador un metal puro depositado en forma de lámina delgada, y donde se adecúa la superficie del sustrato mediante el uso de esferas de materiales resistentes a altas temperaturas o de películas porosas. En el caso de que el sustrato sea distinto al silicio, un soporte de silicio colocado sobre el depósito de metal puro actúa como fuente…

PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN DE NANOHILOS DE SILICIO.

(13/09/2012) Procedimiento de obtención de nanohilos de silicio. Procedimiento experimental simple que permite el empleo de membranas "plantilla" porosas para el crecimiento de nanohilos de silicio con una dimensionalidad (diámetro y longitud) controlada. Este procedimiento se basa en el tratamiento térmico controlado de las membranas plantillas recubiertas por metales y soportadas sobre un sustrato cristalino de silicio que permite la obtención de nanohilos de silicio.