CIP-2021 : H01L 29/68 : controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada,

o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/68 · · controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

CELULA DE MEMORIA EEPROM FLASH DE PUERTA DIVIDIDA DE DOBLE BIT (DSG) AUTOALINEADA.

(16/01/2004) UNA ESTRUCTURA DE CELULA EEPROM INCLUYE DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE SEPARADOS POR UN TRANSISTOR SELECTOR DE PUERTA SIENDO COMPARTIDO EL TRANSISTOR SELECTOR, DURANTE LA PROGRAMACION, LA LECTURA, Y EL BORRADO DE UN TRANSISTOR DE PUERTA FLOTANTE, POR LOS DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE. LAS PUERTAS FLOTANTES (20B, 22B) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA PRIMERA LAMINA DE POLISILICEO, LAS PUERTAS DE CONTROL (20 C, 22C) DE LOS DOS TRANSISTORES SE FORMAN A PARTIR DE UNA SEGUNDA LAMINA DE POLISILICEO, Y LA PUERTA DE SELECCION (24A) ESTA FORMADA A PARTIR DE UNA TERCERA LAMINA DE POLISILICEO. LA LONGITUD DEL CANAL (24G) DEL TRANSISTOR SELECTOR ESTA COMPLETAMENTE AUTOALINEADA CON LOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE . UNA LINEA DE PALABRAS SE FORMA SOBRE LAS PUERTAS DE CONTROL Y FORMA LA PUERTA DE SELECCION. LA LINEA DE PALABRAS …