CIP 2015 : C30B 29/60 : caracterizados por la forma.

CIP2015CC30C30BC30B 29/00C30B 29/60[1] › caracterizados por la forma.

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 29/60 · caracterizados por la forma.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento y aparato para el desarrollo de una cinta cristalina mientras se controla el transporte de contaminantes en suspensión en un gas a través de una superficie de cinta.

(17/10/2013) Un procedimiento para el crecimiento de una cinta cristalina , el procedimiento comprende: proporcionar un crisol que contiene material fundido ; hacer pasar un hilo a través del material fundido para que crezca la cinta cristalina; y dirigir flujo de gas alrededor de la cinta cristalina, de manera que el gas fluya hacia abajo a lo largo de lacinta cristalina, en dirección al crisol.

CRISTALES FOTONICOS CON ESTRUCURA DE ESQUELO.

(16/03/2007). Solicitante/s: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG. Inventor/es: SEITZ, KARLHEINZ, SCHULZ, CHRISTIAN.

Cristal fotónico cuya estructura es topológicamente equivalente a la estructura inversa de un cuerpo de molde convexo en su mayor parte, caracterizado porque - posee una estructura convexa en su mayor parte y - presenta un vacío energético o pseudovacío energético entre la 5ª y 6ª banda y/o - un vacío energético o pseudovacío energético entre la 8ª y 9ª banda, en el que al menos un vacío energético o pseudovacío energético es mayor que el de la estructura inversa compuesta por el mismo material que el cristal fotónico del cuerpo de molde convexo en su mayor parte.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE POLVO MONOCRISTALINO DE CU(IN, GA)SE2 Y CELULA SOLAR DE MENBRANA MONOGRANO QUE CONTIENE ESTE POLVO.

(01/11/2006). Solicitante/s: SCHEUTEN GLASGROEP. Inventor/es: GEYER, VOLKER, ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, RAUDOJA, JAAN.

Procedimiento para la fabricación de un polvo compuesto por una combinación Cu(ln.Ga)Se2, caracterizado porque comprende los siguientes pasos: -Aleación de Cu e In y/o de Cu y Ga para obtener una aleación de Culn y/o CuGa con una proporción subestequiométrica de Cu, -Fabricación de un polvo compuesto por la aleación de Culn y/o CuGa, -Adición de Se, así como Kl o Nal al polvo, -Calentamiento de la mezcla hasta que se forma una masa fundida, en la que la combinación Cu(ln, Ga)Se2 recristaliza y, al mismo tiempo, hace crecer los granos de polvo que han de fabricarse, -Enfriamiento de la masa fundida para interrumpir el crecimiento de los granos.