Procedimiento de síntesis del trifluoroetileno a partir del clorotrifluoroetilenotrifluoroetileno.

Procedimiento de fabricación de trfluoroetileno (VF3) a partir de clorotrifluoroetileno (CTFE),

comprendiendo este procedimiento las siguientes etapas realizadas a presión atmosférica:

i) introducir en un reactor una mezcla gaseosa A constituida por hidrógeno, CTFE y eventualmente un gas inerte, sobre un lecho de catalizador a base de un metal del grupo VIII depositado sobre un soporte, siendo la relación molar H2/CTFE de 0,5/1 a 2/1, que después de un tiempo de contacto suficiente conduce a la obtención de una mezcla gaseosa B constituida por los productos de reacción que comprenden VF3 y subproductos orgánicos, así como H2, dicho gas inerte y CTFE no consumidos, e hidrácidos;

ii) eliminar los hidrácidos presentes en la mezcla B por lavado con agua seguido por un lavado con una base diluida, después secado, que conduce a la recuperación de una mezcla gaseosa C constituida por productos de reacción que comprenden VF3 y subproductos orgánicos, así como H2, dicho gas inerte y CTFE no consumidos;

iii) pasar la mezcla gaseosa C a una columna en contracorriente de un disolvente, a una temperatura inferior a la temperatura ambiente, que conduce a la obtención, por una parte de hidrógeno y gas inerte y, por otra parte de una mezcla constituida por productos orgánicos disueltos en dicho disolvente;

iv) desorción, por calentamiento hasta la ebullición, de los productos orgánicos disueltos en el disolvente con objeto de obtener, por una parte el disolvente, que será reciclado por absorción y, por otra parte una mezcla D constituida por los productos de reacción exentos de hidrógeno y gas inerte;

v) destilar dicha mezcla D de productos orgánicos, que conduce a la recuperación del VF3 en cabeza de la columna, y de una mezcla E a pie de la columna, constituida por CTFE no convertido, así como por los subproductos de la reacción;

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2013/050373.

Solicitante: ARKEMA FRANCE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 420, RUE D'ESTIENNE D'ORVES 92700 COLOMBES FRANCIA.

Inventor/es: DOMINGUES DOS SANTOS, FABRICE, LEDUC, PHILIPPE, GARRAIT, DOMINIQUE, GUIRAUD, EMMANUEL, HUB, SERGE, LANNUZEL,THIERRY.

Fecha de Publicación: 19 de Noviembre de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

B01J23/44 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL. › B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › B01J 23/00 Catalizadores que contienen metales, óxidos o hidróxidos metálicos no previstos en el grupo B01J 21/00 (B01J 21/16 tiene prioridad). › Paladio.
B01J35/10 B01J […] › B01J 35/00 Catalizadores en general, caracterizados por su forma o propiedades físicas. › caracterizados por sus propiedades de superficie o su porosidad.
C07C17/23 QUIMICA; METALURGIA. › C07 QUIMICA ORGANICA. › C07C COMPUESTOS ACICLICOS O CARBOCICLICOS (compuestos macromoleculares C08; producción de compuestos orgánicos por electrolisiso electroforesis C25B 3/00, C25B 7/00). › C07C 17/00 Métodos de preparación de hidrocarburos halogenados. › por deshalogenación.
C07C17/383 C07C 17/00 […] › por destilación.
C07C21/18 C07C […] › C07C 21/00 Compuestos acíclicos insaturados que contienen átomos de halógeno. › que contienen flúor.
H01L41/193 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Composiciones macromoleculares.
H01L41/45 H01L 41/00 […] › Materiales orgánicos.

PDF original: ES-2690055_T3.pdf

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