Método para la formación de película fina orgánica.

Un método de formación de película fina orgánica para formar una película fina orgánica sobre una superficie de sustrato,

que comprende:

obtener un agente auxiliar mezclando un tensioactivo metálico (1) que tiene al menos un grupo hidrolítico con un compuesto capaz de interaccionar con el tensioactivo metálico (1),

obtener una disolución para la formación de la película fina orgánica mediante el agente auxiliar y un tensioactivo metálico (2) que tiene al menos un grupo hidrolítico, en un disolvente orgánico, y

poner en contacto el sustrato con la disolución para la formación de la película fina orgánica; en donde,

se usa la disolución para la formación de la película fina orgánica en la que el contenido de humedad se ha ajustado o mantenido de 50 a 1000 ppm,

el tensioactivo metálico (1) es un compuesto representado por la fórmula (I):

R1 nMXm-n (I)

(en donde, R1 representa un grupo hidrocarbonado opcionalmente sustituido que tiene de 10 a 30 átomos de carbono, un grupo hidrocarbonado halogenado opcionalmente sustituido que tiene de 10 a 30 átomos de carbono, un grupo hidrocarbonado que contiene un grupo conector, o un grupo hidrocarbonado halogenado que contiene un grupo conector,

M representa un átomo de silicio,

X representa un grupo hidroxilo o un grupo hidrolítico,

m representa la valencia de M,

n representa 1, y

X pueden ser iguales o diferentes cuando (m-n) es 2 o más),

el compuesto capaz de interaccionar con el tensioactivo metálico (1) es al menos un tipo seleccionado del grupo que consiste en un óxido metálico, un alcóxido metálico, un producto de hidrólisis parcial de un alcóxido metálico, un catalizador de condensación de silanol y un catalizador ácido,

el metal del alcóxido metálico o el producto de hidrólisis parcial del alcóxido metálico es al menos un tipo seleccionado del grupo que consiste en titanio, zirconio, aluminio, silicio, germanio, indio, estaño, tántalo, zinc, tungsteno y plomo, y

el tensioactivo metálico (2) es un compuesto representado por la fórmula (III):

R11 n1M1X1 m1-n1 (III)

(en donde, R11 representa un grupo hidrocarbonado opcionalmente sustituido, un grupo hidrocarbonado halogenado opcionalmente sustituido, un grupo hidrocarbonado que contiene un grupo conector, o un grupo hidrocarbonado halogenado que contiene un grupo conector,

M1 representa un átomo de silicio,

X1 representa un grupo hidroxilo o un grupo hidrolítico,

35 m1 representa la valencia de M,

n1 representa 1, y

X1 pueden ser iguales o diferentes cuando (m1-n1) es 2 o más).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2005/013376.

Solicitante: NIPPON SODA CO., LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-1, OHTEMACHI 2-CHOME CHIYODA-KU, TOKYO 100-8165 JAPON.

Inventor/es: Hidaka,Tomoya , KIMURA,Nobuo, FUJITA,Yoshitaka.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B05D1/18 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B05 PULVERIZACION O ATOMIZACION EN GENERAL; APLICACION DE LIQUIDOS U OTRAS MATERIAS FLUIDAS A SUPERFICIES, EN GENERAL.B05D PROCEDIMIENTOS PARA APLICAR LIQUIDOS U OTRAS MATERIAS FLUIDAS A SUPERFICIES, EN GENERAL (transporte de objetos en los baños de líquidos B65G, p. ej.. B65G 49/02). › B05D 1/00 Procedimientos para aplicar líquidos u otras materias fluidas a las superficies (B05D 5/00, B05D 7/00 tienen prioridad). › por inmersión.
  • C03C17/28 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C03 VIDRIO; LANA MINERAL O DE ESCORIA.C03C COMPOSICION QUIMICA DE LOS VIDRIOS, VIDRIADOS O ESMALTES VITREOS; TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DEL VIDRIO; TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE FIBRAS O FILAMENTOS DE VIDRIO, SUSTANCIAS INORGANICAS O ESCORIAS; UNION DE VIDRIO A VIDRIO O A OTROS MATERIALES.C03C 17/00 Tratamiento de la superficie del vidrio, p. ej., de vidrio desvitrificado, que no sea en forma de fibras o filamentos, por recubrimiento. › con materias orgánicas (C03C 17/34, C03C 17/44 tienen prioridad).
  • C03C17/30 C03C 17/00 […] › con compuestos que contienen silicio.

PDF original: ES-2644038_T3.pdf

 

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