Procedimiento de síntesis mejorado de nanotubos de carbono sobre multisoportes.
Procedimiento de síntesis de nanotubos de carbono (abreviado como NTC) por deposición química en fase vapor (abreviada como CVD) en la superficie de artículos,
presentándose dichos artículos en forma de una mezcla A (i) de partículas y/o fibras de un material que comprende al menos un átomo de oxígeno e (ii) de partículas y/o fibras de un material seleccionado entre los carburos y/o de un material que comprende al menos un átomo de silicio, comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas, realizadas bajo una corriente de gas(es) inerte(s), opcionalmente en una mezcla con hidrógeno:
(i) calentamiento en un recinto de reacción de dicha mezcla A de artículos a una temperatura comprendida entre 400 ºC y 900 ºC;
(ii) introducción en dicho recinto, de una fuente de carbono compuesta por acetileno y/o xileno, y un catalizador que comprende ferroceno;
(iii) exposición de dicha mezcla A, calentada, a dicha fuente de carbono y a dicho catalizador que comprende ferroceno durante un tiempo suficiente para obtener NTC en la superficie de los artículos que constituyen dicha mezcla A;
(iv) recuperación de una mezcla B al finalizar la etapa (iii), opcionalmente, tras una etapa de enfriamiento, estando formada dicha mezcla B por la mezcla A de artículos que comprenden NTC en su superficie;
(v) opcionalmente separación de las partículas y/o fibras de un material que comprende al menos un átomo de oxígeno, dichas partículas y/o fibras que comprenden NTC en su superficie partículas y/o fibras de un material seleccionado entre los carburos y/o que comprende al menos un átomo de silicio, comprendiendo dichas partículas y/o fibras NTC en su superficie,
procedimiento en el que el material seleccionado entre los carburos y/o que comprende al menos un átomo de silicio se selecciona entre el nitruro de silicio (Si3N4), carburo de silicio (SiC), sílice (Si2O), TiC y B4C, y/o en el que el material que comprende al menos un átomo de oxígeno es AI2O3.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2012/052840.
Solicitante: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS).
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 3, RUE MICHEL-ANGE 75794 PARIS CEDEX 16 FRANCIA.
Inventor/es: BAI,JINBO, DICHIARA,ANTHONY, YUAN,JINKAI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B31/02
PDF original: ES-2578629_T3.pdf
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