Procedimiento de preparación de un revestimiento multicapa de cerámicas de carburos sobre, y eventualmente en, una pieza de un material carbonado, por una técnica de infiltración reactiva en estado fundido RMI.

Procedimiento de preparación de un revestimiento multicapa de carburos de metales sobre al menos una superficie de una primera capa de carbono de un sustrato,

y eventualmente bajo dicha superficie en el interior de dicha primera capa de carbono, por una técnica de infiltración reactiva en estado fundido, en el que se realizan las etapas a) a d) sucesivas siguientes:

a) se pone en contacto la superficie con un disiliciuro de metal MSi2 sólido en el que M se elige entre hafnio, titanio y tantalio;

b) se calienta el sustrato y el disiliciuro de metal hasta una temperatura TP superior a la temperatura de fusión del disiliciuro de metal;

c) se observa una meseta a la temperatura TP durante un periodo suficiente para que el disiliciuro de metal reaccione con el carbono y forme un primer revestimiento multicapa que comprende una capa densa y continua constituida por SiC, recubierta integralmente por una capa densa y continua constituida por MC;

d) se enfría la pieza provista del primer revestimiento multicapa;

luego, al término de la etapa d), se realiza además eventualmente la etapa e) siguiente:

e) se deposita en la superficie del primer revestimiento multicapa una segunda capa de carbono;

al término de la etapa d) o de la etapa e), se realizan además las etapas f) a i) sucesivas siguientes:

f) se pone en contacto la superficie del primer revestimiento multicapa que contiene también carbono, o la superficie de la segunda capa de carbono, con un disiliciuro de metal MSi2 sólido en el que M se elige entre hafnio, titanio y tantalio;

g) se calienta la superficie del primer revestimiento multicapa que contiene además carbono y disiliciuro de metal, o la segunda capa de carbono y disiliciuro de metal, hasta una temperatura TP superior a la temperatura de fusión del disiliciuro de metal;

h) se observa una meseta a la temperatura TP durante un periodo suficiente para que el disiliciuro de metal reaccione con el carbono y forme un segundo revestimiento multicapa que comprende una capa densa y continua constituida por SiC, recubierta integralmente por una capa densa y continua constituida por MC;

i) se enfría la pieza provista del segundo revestimiento multicapa;

luego, al término de la etapa i), se realiza además eventualmente la etapa j) siguiente:

j) se deposita en la superficie del segundo revestimiento multicapa una tercera capa de carbono;

y al término de la etapa i) o de la etapa j), se realiza además eventualmente la etapa k) siguiente:

k) se efectúa una siliciuración de la superficie del segundo revestimiento multicapa que contiene también carbono, o de la tercera capa de carbono, por Si líquido, mediante lo cual se obtiene una capa de SiC sobre el segundo recubrimiento multicapa.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/054507.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: LE PETITCORPS,YANN, ALLEMAND,ALEXANDRE, GUILLERMIN,EDOUARD.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C04B41/89 QUIMICA; METALURGIA.C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS.C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 41/00 Postratamiento de morteros, hormigón, piedra artificial; Tratamiento de la piedra natural (vidriados distintos a los vidirados en frio C03C 8/00). › para obtener al menos dos revestimientos superpuestos de composiciones diferentes.

PDF original: ES-2624431_T3.pdf

 

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