Dispositivo micromecánico.

Un dispositivo micromecánico que comprende

- un elemento semiconductor que puede desviarse o resonar y que comprende al menos dos regiones que tienen diferentes propiedades de material,

y

- medios de impulso o detección acoplados funcionalmente a dicho elemento semiconductor,

- al menos una de dichas regiones comprende uno o más agentes de dopaje tipo-n,

- en volúmenes relativos, concentraciones de dopaje, agentes de dopaje y/u orientaciones de cristal de las regiones se configuran de modo que

• las sensibilidades a temperatura de la rigidez generalizada son de signo opuesto al menos a una temperatura para las regiones, y

• la deriva de temperatura total de la rigidez generalizada del elemento semiconductor es 50 ppm o menos en un intervalo de temperaturas de 100 °C,

caracterizado por que la al menos una primera región y al menos una segunda región son regiones distintas que comprenden diferentes concentraciones de dopaje del uno o más agentes de dopaje tipo-n.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2012/050456.

Solicitante: Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: Vuorimiehentie 3 02150 Espoo FINLANDIA.

Inventor/es: PRUNNILA,MIKA, JAAKKOLA,ANTTI, PENSALA,TUOMAS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B81B3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS.B81B DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej. DISPOSITIVOS MICROMECANICOS (elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/00). › Dispositivos que tienen elementos flexibles o deformables, p.ej. que tienen membranas o láminas elásticas (B81B 5/00 tiene prioridad).
  • H03H9/02 ELECTRICIDAD.H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B). › H03H 9/00 Redes que comprenden dispositivos electromecánicos o electroacústicos; Resonadores electromecánicos (fabricación de elementos piezoeléctricos o magnetoestrictivos H01L 41/00; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos y similares H04R). › Detalles.
  • H03H9/24 H03H 9/00 […] › Detalles de construcción de resonadores de material que no es ni piezoeléctrico, ni electroestrictivo, ni magnetoestrictivo.

PDF original: ES-2582328_T3.pdf

 

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