PROCESO Y DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR UNA CAPA DE SILICIO CRISTALINA SOBRE UN SUSTRATO.
Proceso para depositar una capa de silicio al menos sustancialmente microcristalina en un sustrato mediante un plasma,
donde dicho sustrato se halla alojado en una cámara de reacción, donde se genera un plasma en una cámara de plasma que comunica por una abertura de paso con la cámara de reacción, y donde dicho sustrato se halla expuesto a un fluido fuente para la deposición de silicio en el mismo, fluido fuente que se introduce por detrás de dicha abertura de paso directamente en dicha cámara de reacción, manteniendo al mismo tiempo una caída de tensión entre la cámara de reacción y la cámara de plasma, caracterizado porque la cámara de reacción se halla situada por medio de una abertura de paso en comunicación abierta con otra cámara de plasma donde se genera otro arco de plasma y se inyecta un fluido auxiliar en al menos una primera de dicha cámara de plasma y la otra cámara de plasma, el fluido auxiliar es capaz de incrustar preferentemente átomos de silicio con enlace no cristalino, uno o más fluidos de una composición distinta se suministran a la otra cámara de plasma y porque el sustrato se halla expuesto simultáneamente a dicho fluido fuente y a dicho fluido auxiliar para incrustar preferentemente átomos de silicio con enlace no cristalino.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN.
Nacionalidad solicitante: Países Bajos.
Dirección: POSTBUS 513,5600 MB EINDHOVEN.
Inventor/es: SCHRAM, DANIEL CORNELIS, HAMERS,EDWARD,ALOYS,GERARD, SMETS,ARNO,HENDRIKUS,MARIE, VAN DE SANDEN,MAURITIUS,CORNELIUS,MARIA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 7 de Enero de 2009.
Clasificación PCT:
- C23C16/24 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
- C23C16/513 C23C 16/00 […] › utilizando chorros de plasma.
- C30B25/10 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
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