CONVERTIDOR FOTOELECTRICO DE LA PELICULA DELGADA.
Un convertidor fotoeléctrico de película delgada que comprende al menos una película transparente (3) de electrodos,
una unidad (4b) de conversión fotoeléctrica de silicio cristalino y una película (5) de soporte de electrodos, formadas secuencialmente sobre una superficie principal de un substrato transparente (2), donde el convertidor fotoeléctrico de película delgada comprende una zona de decoloración blanqueada sobre una parte de la superficie del mismo, tras la formación de la unidad (4b) de conversión fotoeléctrica de silicio cristalino, donde la zona de decoloración blanqueada incluye no solamente silicio cristalino, sino mucha cantidad de silicio amorfo, donde el porcentaje de la zona de decoloración blanqueada no es más del 5% de la zona de conversión fotoeléctrica del convertidor fotoeléctrico de película delgada, donde la película transparente (3) de electrodos, la unidad de conversión fotoeléctrica de silicio cristalino y la película (5) de soporte de electrodos están aisladas por una pluralidad de hendiduras (14, 21, 22) de aislamiento, para formar una pluralidad de células de conversión fotoeléctrica, y la pluralidad de células fotoeléctricas están mutuamente conectadas eléctricamente en serie, a través de unas hendiduras (23) para la conexión, y caracterizado porque la zona de decoloración blanqueada existe en una gama de no menos de 2 mm y no más de 10 mm de separación desde un lado de la zona de conversión fotoeléctrica, que es perpendicular a las hendiduras (14, 21, 22) de aislamiento
Tipo: Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: W04007803JP.
Solicitante: KANEKA CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 2-4, NAKANOSHIMA 3-CHOME KITA-KU,OSAKA-SHI, OSAKA 530-8288.
Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, SUEZAKI,TAKASHI, YOSHIMI,MASASHI, SASAKI,TOSHIAKI, TAWADA,YUKO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Agosto de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/142R2
- H01L31/075B
Clasificación PCT:
- H01L27/142 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Dispositivos de conversión de energía (módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas individuales que comprende diodos de derivación integrados o directamente asociado con las células fotovoltaicas sólo H01L 31/0443; módulos fotovoltaicos compuestas de una pluralidad de células solares de película delgada depositados en el mismo sustrato H01L 31/046).
- H01L31/04 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
- H01L31/075 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
- H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
Clasificación antigua:
- H01L31/04 H01L 31/00 […] › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
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