PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR UN APARATO FORMADOR DE PELICULAS SEMICONDUCTORAS DELGADAS DE SILICIO.

Un procedimiento de lavado de un aparato de fabricación de células solares provisto de una cámara de formación de película (4,

5, 6) que comprende piezas internas y una bandeja (42) que tiene un sustrato (13) montado en la misma, a una parte del cual está unido un material semiconductor, en el que las piezas internas de la cámara de formación de película y la parte de la bandeja a la que está unido un material semiconductor están formadas por piezas desmontables, estando una pluralidad de las piezas desmontables sustentadas por una herramienta, sumergiéndose simultáneamente la herramienta y las piezas desmontables sustentadas en un agente de grabado alcalino para realizar el grabado, retirando así el material semiconductor unido a las piezas internas de la cámara de formación de película (4, 5, 6) y el material semiconductor unido a la bandeja (42); lavándose la herramienta y las piezas sustentadas con un detergente líquido acuoso después de terminar el grabado y secándose la herramienta ylas piezas desmontables lavadas.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: KANEKA CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-4, NAKANOSHIMA 3-CHOME, KITA-KU,OSAKA-SHI, OSAKA 530-8288.

Inventor/es: KONDO, MASATAKA, NISHIO, HITOSHI, YAMAGISHI,HIDEO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 22 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 25 de Julio de 2007.

Clasificación PCT:

  • C23C16/46 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
  • C23C16/54 C23C 16/00 […] › Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
  • H01L21/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
  • H01L21/20 H01L […] › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
  • H01L21/205 H01L 21/00 […] › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
  • H01L31/18 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
  • H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

  • Fb
  • Twitter
  • G+
  • 📞
  • Pinit
PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR UN APARATO FORMADOR DE PELICULAS SEMICONDUCTORAS DELGADAS DE SILICIO.

Patentes similares o relacionadas:

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]

Método para lavar y/o secar una cámara de replicación electroquímica de modelos (ECPR), y mandriles y conjuntos de mandril correspondientes, del 8 de Junio de 2016, de Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST): Un mandril destinado a asegurar un sustrato o un electrodo maestro durante un proceso de replicación electroquímica de modelos (ECPR), que comprende […]

Dispositivo de procesamiento y procedimiento para procesar productos de procesamiento apilados, del 13 de Abril de 2016, de Probst, Volker: Dispositivo de procesamiento para procesar productos de procesamiento apilados con una cámara de procesamiento evacuable para recibir un gas de proceso […]

Dispositivo óptico para lámpara basada en LED, del 10 de Junio de 2015, de Light Engine Limited: Un dispositivo óptico para distribuir emisiones radiantes de un emisor de luz, comprendiendo el dispositivo óptico: una sección de transferencia ; […]

Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón, del 3 de Diciembre de 2014, de Conversant Intellectual Property Management Inc: Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha […]

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica, del 12 de Noviembre de 2014, de Conversant Intellectual Property Management Inc: Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas […]

‹‹ CONECTADOR ELECTRICO

MAQUINA PARA LA CONFORMACION DE PIEZAS DE CHAPA POR ESTIRADO SOBRE UNA HERRAMIENTA O FORMA ››