INSTALACION DE GRABADO ELECTROQUIMICO Y PROCEDIMIENTO PARA EL GRABADO DE UN CUERPO QUE VA A GRABARSE.
Célula de grabado electroquímico para el grabado de un cuerpo (15) que va a grabarse,
que se compone de silicio al menos en su superficie, con al menos una cámara, que está rellena al menos parcialmente con un electrolito, y que está dotada de un primer electrodo (13), que presenta un primer material de electrodo al menos en su superficie, y de un segundo electrodo (13''), que presenta un segundo material de electrodo al menos en su superficie, estando uno de los electrodos (13, 13'') conectado como cátodo y uno de los electrodos (13, 13'') como ánodo, y estando en cuerpo (15) que va a grabarse en contacto con el electrolito al menos por zonas, caracterizada porque el primer material de electrodo y el segundo material de electrodo es un material seleccionado del grupo de los compuestos al menos ligeramente conductores de los elementos silicio, carbono, nitrógeno, oxígeno, titanio, aluminio, boro, antimonio, wolframio, cobalto, teluro, germanio, molibdeno, galio, arsénico y selenio, especialmente SiC, SiN, RiN, TiC, MoSi2 o GaAs, o de los elementos silicio, titanio, wolframio o molibdeno.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ROBERT BOSCH GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: POSTFACH 30 02 20,70442 STUTTGART.
Inventor/es: LAERMER, FRANZ, ARTMAN,HANS, FREY,WILHELM.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 28 de Febrero de 2007.
Clasificación PCT:
- C25D11/32 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 11/00 Revestimientos electrolíticos por reacción superficial, es decir, que forman capas de conversión. › de materiales semiconductores.
- C25F3/12 C25 […] › C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico. › de materiales semiconductores.
- C25F7/00 C25F […] › Elementos estructurales, de células o sus ensambles para la eliminación electrolítica de materia en objetos (tanto para revestimiento como para eliminación electrolíticos C25D 17/00 ); Operación o servicio.
- H01L21/3063 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado electrolítico.
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