CONJUNTO DE CHIP SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DEL MISMO.

Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor (8420) que tiene una superficie frontal;

incluyendo dicha superficie frontal una región central y una región periférica que rodea dicha región central, presentado dicho chip contactos centrales (8431) dispuestos en dicha región central de dicha superficie frontal, y un elemento dieléctrico (8436) que se superpone a dicha superficie frontal y que presenta un agujero (8480) que encierra dichos contactos centrales (8431), caracterizado porque dicho elemento dieléctrico (8436) porta una pluralidad de terminales para interconectarse a un sustrato, porque al menos alguno de los terminales son terminales de contactos centrales (8448) que se superponen a dicha superficie frontal de chip, y porque al menos algunos de los terminales de contactos centrales (8448) están conectados a contactos centrales (8431) correspondientes en dicho agujero (8480) mediante acoplamientos de contactos centrales respectivos, comprendiendo cada uno un conductor parcial (8450) que conecta el terminal de contactos centrales (8448) a un terminal de unión (8452) y una unión por hilos entre el terminal de unión (8452) y el contacto central (8431).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: TESSERA, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 103 FAIRVIEW PARK DRIVE,ELMSFORD, NY 10523.

Inventor/es: KHANDROS, IGOR Y., DISTEFANO, THOMAS H.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 24 de Septiembre de 1991.

Fecha Concesión Europea: 24 de Enero de 2007.

Clasificación PCT:

  • H01L21/60 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
  • H01L21/822 H01L 21/00 […] › siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
  • H01L21/98 H01L 21/00 […] › Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).
  • H01L23/13 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por su forma.
  • H01L23/31 H01L 23/00 […] › caracterizados por su disposición.
  • H01L23/485 H01L 23/00 […] › formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
  • H01L23/498 H01L 23/00 […] › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
  • H01L23/58 H01L 23/00 […] › Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia.

CONJUNTO DE CHIP SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DEL MISMO.

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