CIRCUITO CONMUTADOR PARA LA OBTENCION DE UN RANGO DINAMICO DUPLICADO.
Circuito conmutador para la obtención de un rango dinámico duplicado.
#Permite conmutar mediante transistor señales con un nivel de pico igual a la tensión de alimentación, siendo el nivel pico a pico el doble de la alimentación.#Se caracteriza por la conexión de un transistor (17) a la fuente de señal (10) y a una carga (19) a través de una serie de capacitores (11,18), resistores (15,16) y un inductor (12) que forman el circuito de invención, y por la aplicación de dos tensiones de control complementarias (13 y 14) para controlar los estados de corte y conducción del circuito conmutador.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DISEÑO DE SISTEMAS EN SILICIO, S.A..
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: VALENCIA.
Inventor/es: BLASCO CLARET,JORGE VICENTE, GONZALEZ MORENO,JOSE LUIS, ANDRES NAVARRO,FRANCISCO JOSE, CAMPS SORIANO,JOSE LUIS.
Fecha de Solicitud: 16 de Noviembre de 2004.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 10 de Octubre de 2007.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03K17/10 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Modificaciones para aumentar la tensión conmutada máxima admisible.
- H03K17/60 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores bipolares (transistores bipolares con al menos cuatro electrodos H03K 17/72).
- H03K17/687 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores de efecto de campo.
Clasificación PCT:
- H03K17/10 H03K 17/00 […] › Modificaciones para aumentar la tensión conmutada máxima admisible.
- H03K17/60 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores bipolares (transistores bipolares con al menos cuatro electrodos H03K 17/72).
- H03K17/687 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores de efecto de campo.
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