Fuente de fotones individuales apropiada para la producción a gran escala y procedimiento de producción.

Fuente de fotones individuales, que comprende al menos un cuerpo sólido activo (3),

que en el caso de excitación con luz, cuyos fotones presentan en cada caso una energía de excitación, emite en un intervalo de tiempo predeterminado un fotón individual con una energía de emisión menor, estando dispuesto el cuerpo sólido activo sobre una superficie o superficie límite de una fuente de luz primaria que se hace funcionar eléctricamente para fotones con la energía de excitación, de modo que puede excitarse a través de esta superficie o superficie límite, caracterizada porque en el cuerpo sólido activo sólo hay un único nivel de energía que puede excitarse mediante la fuente de luz primaria.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/DE2013/000725.

Solicitante: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: 52425 Jülich ALEMANIA.

Inventor/es: MIKULICS,MARTIN, HARDTDEGEN,HILDE.

Fecha de Publicación: 11 de Enero de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01L33/04 H01L […] › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.
H01L33/06 H01L 33/00 […] › dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.
H01L33/32 H01L 33/00 […] › que contienen nitrógeno.
H01S3/0933 H01 […] › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › producida por un semiconductor, p. ej. un diodo emisor de luz.
H01S3/16 H01S 3/00 […] › Materiales sólidos.
H01S5/026 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Componentes integrados monolíticamente, p. ej. guías de ondas, fotodetectores de monitorización, dispositivos para la excitación (estabilización de la salida del láser H01S 5/06).
H04B10/50 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS. › H04B TRANSMISION. › H04B 10/00 Sistemas de transmisión que utilizan haces de radiación electromagnéticas u otro tipo de ondas, p. ej. la luz, los infrarrojos, ultravioletas o radiación corpuscular, p. ej. comunicación cuántica. › Transmisores.
H04B10/70 H04B 10/00 […] › Comunicación cuántica (fotonica).
H04L9/08 H04 […] › H04L TRANSMISION DE INFORMACION DIGITAL, p. ej. COMUNICACION TELEGRAFICA (disposiciones comunes a las comunicaciones telegráficas y telefónicas H04M). › H04L 9/00 Disposiciones para las comunicaciones secretas o protegidas. › distribución de claves.

PDF original: ES-2618286_T3.pdf

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