LASER DE SEMICONDUCTOR DE EMISION SUPERFICIAL.
Láser de semiconductor del tipo de emisión superficial, que comprende una zona activa que presenta una unión-pn,
una primera capa de semiconductor dopada-n sobre el lado- n de la zona activa, un contacto túnel estructurado sobre el lado-p de la zona activa, el cual forma una unión conductora hacia una segunda capa de semiconductor dopada-n sobre el lado-p de la zona activa, un espejo dieléctrico estructurado, el cual está aplicado sobre la segunda capa de semiconductor dopada-n, con una capa de contacto, que forma un contacto con la segunda capa de semiconductor dopada-n en el punto en el que el espejo dieléctrico no está aplicado, caracterizado porque presenta una barrera de difusión entre la capa de contacto y la segunda capa de semiconductor dopada-n, solapanado el espejo dieléctrico en parte la barrera de difusión.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: VERTILAS GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: LICHTENBERGSTRASSE 8,85748 GARCHING.
Inventor/es: AMANN, MARKUS-CHRISTIAN, ORTSIEFER, MARKUS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 15 de Febrero de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/183 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › que tienen solamente cavidades verticales, p. ej. láseres de emisión superficial de cavidad vertical [VCSEL].
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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