CONTACTO DE FUENTE DE ALIMENTACION DE CIRCUITO INTEGRADO.
UN CIRCUITO INTEGRADO FORMADO EN UN SUSTRATO TIENE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFORMADOS EN UNA CAPA EPITAXIAL RELATIVAMENTE IMPURIFICADA (ES DECIR,
CON ALTA RESISTIVIDAD), TIPICAMENTE EN UN "TUBO" FORMADO EN LA MISMA. LA CORRIENTE DE FUNCIONAMIENTO PARA LOS TRANSISTORES DE PROPORCIONA AL MENOS EN PARTE A TRAVES DE UNA CAPA METALICA SITUADA EN LA PARTE TRASERA DEL SUSTRATO. SORPRENDENTEMENTE, LA CONDUCTIVIDAD ES SUFICIENTEMENTE ALTA A TRAVES DE LA CAPA EPITAXIAL Y EL SUSTRATO QUE EL NUMERO DE ZONAS DE UNION EN LA PARTE FRONTAL PUEDE REDUCIRSE, O ELIMINARSE COMPLETAMENTE EN ALGUNOS CASOS. ADEMAS SE OBTIENE UNA REDUCCION EN LA INDUCTANCIA DE CONDUCCION DE LA FUENTE DE ALIMENTACION, REDUCIENDO LOS PROBLEMAS DEL SALTO A TIERRA Y DE OSCILACION
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: GABARA, THADDEUS J.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 10 de Diciembre de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/48 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
- H01L23/482 H01L 23/00 […] › formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.
- H01L23/50 H01L 23/00 […] › para dispositivos de circuito integrado (H01L 23/482 - H01L 23/498 tienen prioridad).
- H01L27/092 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
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