CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.
SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS (50,
60, 350) DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN (101, 102, 248, 360, 670, 672) QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ROBERTS, ELLIS E.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: P.O. BOX 6310,LOS OSOS, CA 93412.
Inventor/es: ROBERTS, ELLIS E.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 11 de Agosto de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- B24D3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B24 TRABAJO CON MUELA; PULIDO. › B24D HERRAMIENTAS PARA TRABAJAR CON MUELA, PULIR O AFILAR (cuerpos abrasivos especialmente concebidos para el trabajo en tambor, p. ej. bolas abrasivas B24B 31/14; herramientas de acabado B24B 33/08; herramientas de afinado B24B 37/11). › Propiedades físicas de los cuerpos u hojas abrasivas, p. ej. superficies abrasivas de naturaleza especial; Cuerpos u hojas abrasivos caracterizados por sus constituyentes.
- B24D3/02 B24D […] › B24D 3/00 Propiedades físicas de los cuerpos u hojas abrasivas, p. ej. superficies abrasivas de naturaleza especial; Cuerpos u hojas abrasivos caracterizados por sus constituyentes. › siendo utilizados los constituyentes como aglomerantes.
- B32B5/16 B […] › B32 PRODUCTOS ESTRATIFICADOS. › B32B PRODUCTOS ESTRATIFICADOS, es decir, HECHOS DE VARIAS CAPAS DE FORMA PLANA O NO PLANA, p. ej. CELULAR O EN NIDO DE ABEJA. › B32B 5/00 Productos estratificados caracterizados por la heterogeneidad o estructura física de una de las capas (B32B 9/00 - B32B 29/00 tienen prioridad). › caracterizados por el hecho de que una de las capas está formada por partículas, p. ej. virutas, fibras cortadas, polvo.
- C09C1/68 QUIMICA; METALURGIA. › C09 COLORANTES; PINTURAS; PULIMENTOS; RESINAS NATURALES; ADHESIVOS; COMPOSICIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE LOS MATERIALES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09C TRATAMIENTO DE MATERIALES INORGANICOS, QUE NO SEAN CARGAS FIBROSAS, PARA MEJORAR SUS PROPIEDADES DE PIGMENTACION O DE CARGA (preparación de compuestos inorgánicos o elementos no metálicos C01; tratamiento de materias especialmente previsto para reforzar sus propiedades de carga, en los morteros, hormigón, piedra artificial o análogo C04B 14/00, C04B 18/00, C04B 20/00 ); PREPARACION DE NEGRO DE CARBON. › C09C 1/00 Tratamiento de materiales inorgánicos específicos distintos a las cargas fibrosas (materiales luminiscentes o tenebrescentes C09K ); Preparación de negro de carbón. › Partículas abrasivas sueltas.
- C09K3/14 C09 […] › C09K SUSTANCIAS PARA APLICACIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE SUSTANCIAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K 3/00 Sustancias no cubiertas en otro lugar. › Sustancias antideslizantes; Abrasivos.
- C30B23/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.
- C30B25/00 C30B […] › Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
- C30B28/12 C30B […] › C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada. › directamente a partir del estado gaseoso.
- C30B29/04 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
- C30B31/00 C30B […] › Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.
- H01L29/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
Países PCT: Alemania, España, Italia, Portugal, Oficina Europea de Patentes.
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