CHIP DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.
Módulo de chips de memoria de semiconductores, que tiene un primer chip de memoria (4) de un primer tipo,
un segundo chip de memoria (6) de un segundo tipo, y una conexión eléctrica (14, 16) entre el primer y segundo chips de memoria (4, 6), caracterizado porque los chips de memoria (4, 6) están dispuestos uno encima de otro en diferentes niveles y están conectados mediante interconexiones de chips verticales (14, 16).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: GIESECKE & DEVRIENT GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: PRINZREGENTENSTRASSE 159,81677 MUNCHEN.
Inventor/es: GRASSL, THOMAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 19 de Junio de 2000.
Fecha Concesión Europea: 2 de Mayo de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/00 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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