BLOQUE DE ALIMENTACION DE ENERGIA DE RF CON UNA DOBLE PUESTA A TIERRA.
UN CUBIERTA DE TRANSISTOR DE POTENCIA DE RF (10) CONFIGURADA PARA MONTARLA EN EL DISIPADOR TERMICO DE UN TABLERO DE CIRCUITOS IMPRESOS DE MULTIPLES CAPAS Y QUE COMPRENDE UNA TRAYECTORIA DE PUESTA A TIERRA ELECTRICA LATERAL SUPERIOR DESDE UNA PASTILLA DE TRANSISTOR (16) QUE HAY COLOCADA ENCIMA DE UN SUBSTRATO CERAMICO (18) HASTA UNA BRIDA DE MONTAJE (30),
SIN PASAR A TRAVES DEL SUBSTRATO CERAMICO, EJ, COLOCANDO UN REVESTIMIENTO METALICO SOBRE UNA SUPERFICIE EXTERIOR DEL SUBSTRATO CERAMICO PARA CONECTAR ELECTRICAMENTE UN HILO METALICO MONTADO EN LA PARTE SUPERIOR A LA BRIDA. TAMBIEN SE PUEDE FORMAR UNA TRAYECTORIA DE PUESTA A TIERRA DIRECTA DE LA PASTILLA DE TRANSISTOR A LA BRIDA DE MONTAJE A TRAVES DE UNOS AGUJEROS METALIZADOS (34) FORMADOS A TRAVES DEL SUBSTRATO CERAMICO. LA TRAYECTORIA DE PUESTA A TIERRA LATERAL SUPERIOR TAMBIEN ESTA CONFIGURADA PARA CONECTAR LA CAPA DE REFERENCIA DE PUESTA A TIERRA INTERMEDIA DEL TABLERO DE CIRCUITOS IMPRESOS DE MULTIPLES CAPAS CUANDO SE ASEGURA LA BRIDA DE MONTAJE AL DISIPADOR TERMICO. DE ESTE MODO, LA CUBIERTA DE TRANSISTOR DE POTENCIA SE PONE A TIERRA AL MISMO POTENCIAL DE REFERENCIA QUE EL RESTO DE LOS ELEMENTOS ACOPLADOS AL TABLERO DE CIRCUITOS IMPRESOS, AL TIEMPO QUE SE MANTIENEN LAS CARACTERISTICAS DE ALTO RENDIMIENTO PROPORCIONADAS POR LOS AGUJEROS DE PUESTA A TIERRA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ERICSSON INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 675 JARVIS DRIVE,MORGAN HILL, CA 95037.
Inventor/es: MOLLER, THOMAS, W., LEIGHTON, LARRY.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 2 de Julio de 1997.
Fecha Concesión Europea: 2 de Octubre de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Adaptaciones para la alta frecuencia.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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