UN TRANSISTOR MMIC ADAPTADO PREVIAMENTE DE ALTA POTENCIA CON CONTINUIDAD DEL POTENCIAL DE TIERRA MEJORADA.

TRANSISTOR MULTICELULAR (50) QUE RESULTA UTIL EN UN CIRCUITO QUE TIENE UN PLANO DE TIERRA DE ENTRADA (16) PARA UNA GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18) Y UN PLANO DE TIERRA DE SALIDA (30) PARA UNA GUIA DE ONDAS DE SALIDA (28).

EL TRANSISTOR MULTICELULAR (50) INCLUYE UN ELECTRODO DE PUERTA (56) ACOPLADO A LA GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18), UN ELECTRODO DE DRENAJE (54) ACOPLADO A LA GUIA DE ONDAS DE SALIDA (28), Y UN ELECTRODO DE FUENTE (52) ACOPLADO AL PLANO DE TIERRA DE ENTRADA (16). UNA PLETINA DE TIERRA DE SALIDA (76) SEPARADA DEL ELECTRODO DE DRENAJE (54) ACOPLA EL PLANO DE MASA DE SALIDA (30) AL ELECTRODO DE FUENTE (52). UN PAR DE LINEAS DE TRANSMISION (82) ESTAN CONECTADAS ORTOGONALMENTE A UN ELECTRODO DE PUERTA (56) Y PROLONGADAS DEL MISMO PARA FORMAR UN PAR DE CONDUCTORES CON EL FIN DE ADAPTAR LAS IMPEDANCIAS DEL ELECTRODO DE PUERTA (56) Y EL GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RAYTHEON COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2000 E. EL SEGUNDO BOULEVARD, P.O. BOX 902,EL SEGUNDO, CALIFORNIA 90245-0.

Inventor/es: WEN, CHENG, P., CHU, PETER, COLE, MICHAEL, R., WONG, WAH, S., WANG, ROBERT, F., HOU, LIPING, D.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 3 de Noviembre de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/66 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Adaptaciones para la alta frecuencia.

Países PCT: Alemania, España, Reino Unido, Oficina Europea de Patentes.

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