RESISTENCIA AUTORREGULADORA UNIFORME PARA TRANSISTOR DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA, TERMICAMENTE EQUILIBRADO.
TRANSISTOR DE POTENCIA DE RF (10) QUE TIENE CARACTERISTICAS DE EQUILIBRIO TERMICO MEJORADAS E INCLUYE UN PRIMER ELECTRODO EMISOR (12) Y UN ELECTRODO BASE (18) FORMADO SOBRE UN DADO DE SILICIO,
CADA UNO DE LOS CUALES TIENEN UNA SERIE DE DEDOS DE ELECTRODOS PARALELOS. UN SEGUNDO ELECTRODO EMISOR (22) ESTA FORMADO SOBRE EL ELECTRODO BASE (18) Y ESTA CONECTADO ELECTRICAMENTE AL PRIMER ELECTRODO EMISOR (12). LAS RESISTENCIAS DE CARGA (28, 30) ESTAN FORMADAS EN UNA FORMA ESPACIADA BASICAMENTE UNIFORME A CADA LADO DEL DADO DE SILICIO, EN SERIE CON AL MENOS UNO DE LOS DEDOS DE ELECTRODOS (16) DEL PRIMER ELECTRODO EMISOR (12) Y EN SERIE CON AL MENOS ALGUNOS DE LOS DEDOS DE ELECTRODO (26) DEL SEGUNDO ELECTRODO EMISOR (22).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ERICSSON INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 675 JARVIS DRIVE,MORGAN HILL, CA 95037.
Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, SKOGLUND, BERTIL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 15 de Septiembre de 1997.
Fecha Concesión Europea: 20 de Febrero de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/73 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores bipolares de unión.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Suecia, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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