MONTAJE DE CATODO PARA FUENTE DE IONES CON EL CATODO CALENTADO INDIRECTAMENTE.
LA FUENTE DE IONES (12) A LA QUE SE REFIERE LA INVENCION SE UTILIZA EN UN IMPLANTADOR DE IONES (10).
LA FUENTE DE IONES COMPRENDE UNA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS (76) QUE TIENE PAREDES CONDUCTORAS (130A, 130B, 130C, 130D, 130E, 132) QUE SE UNEN A UNA ZONA DE IONIZACION DE GAS (R). LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS INCLUYE UNA ABERTURA DE SALIDA (78) PARA QUE LOS IONES SALGAN DE LA CAMARA. UNA BASE (80, 82, 120) POSICIONA LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS CON RELACION A LA ESTRUCTURA (90. 14) PARA FORMAR UN RAYO DE IONES (20) A PARTIR DE LOS IONES QUE SALEN DE LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EATON CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: EATON CENTER, 1111 SUPERIOR AVENUE,CLEVELAND, OHIO 44114-2584.
Inventor/es: HORSKY, THOMAS NEIL, REYNOLDS, WILLIAM EDWARD, CLOUTIER, RICHARD MAURICE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Diciembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01J1/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 1/00 Detalles de electrodos, de medios de control magnéticos, de pantallas, o del montaje o espaciamiento de estos elementos, comunes a dos o más tipos básicos de lámparas o tubos de descarga (detalles de dispositivos óptico-electrónicos o de captadores de iones H01J 3/00). › Cátodos calentados indirectamente por una corriente eléctrica; Cátodos calentados por bombardeo electrónico o iónico.
- H01J27/14 H01J […] › H01J 27/00 Tubos de haz iónico (H01J 25/00, H01J 33/00, H01J 37/00 tienen prioridad; aceleradores de partículas H05H). › Otras fuentes de iones con descarga de arco que utilizan un campo magnético aplicado.
- H01J37/08 H01J […] › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Fuente de iones; Cañón iónico.
- H01J37/317 H01J 37/00 […] › para modificar las propiedades de objetos o para aplicarles revestimientos de capa delgada, p. ej. implantación de iones (H01J 37/36 tiene prioridad).
Patentes similares o relacionadas:
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA TRANSFERENCIA DE UN HAZ DE IONES., del 16 de Octubre de 2004, de EATON CORPORATION: UN METODO Y APARATO PARA MANTENER UN HAZ DE IONES A LO LARGO DE UN CAMINO DE HAZ DESDE UNA FUENTE DE IONES A UNA ESTACION DE IMPLANTACION […]
LENTES ELECTROSTATICA DE ACELERACION Y DESACELERACION PARA EL ENFOQUE VARIABLE Y LA RESOLUCION DE MASA DE UN HAZ DE UN IMPLANTADOR DE IONES., del 16 de Julio de 2004, de EATON CORPORATION: LA INVENCION SE REFIERE A UNA LENTE TRIODICA ELECTROSTATICA CON DESTINO A UN SISTEMA DE IMPLANTACION IONICO . LA LENTE INCLUYE UN ELECTRODO TERMINAL […]
ESTRUCTURA PARA LA ALINEACION DE UNA ABERTURA DE FUENTE DE IONES CON UN PASO DE HAZ DE IONES PREFIJADO., del 1 de Diciembre de 1999, de EATON CORPORATION: SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA Y UN METODO PARA POSICIONAR EXACTAMENTE Y ALINEAR UNA ABERTURA DE UN MIEMBRO DE EXTRACCION Y UN HUECO DE UN ELECTRODO DE EXTRACCION […]
LITOGRAFIA POR ELECTRONES CON UTILIZACION DE UN FOTOCATODO., del 16 de Agosto de 1999, de AT&T CORP.: LA DELINEACION DE DISEÑOS SUB-MICROMETRICOS, IMPORTANTES EN LA FABRICACION A GRAN ESCALA DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS, ESTA BASADA EN UN FOTOCATODO […]
DISPOSITIVOS DE IMPLANTACION IONICO, del 16 de Diciembre de 1998, de ADVANCED MICRO DEVICES INC.: SE PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PERFECCIONADO, DE IMPLANTACION DE IONES, QUE TIENE INTERFAZ PROGRAMABLE Y GRAFICO DEL USUARIO. EL DISPOSITIVO DE IMPLANTACION […]
CHORRO DE ELECTRONES DE EMISION SECUNDARIA DIFUSA., del 1 de Junio de 1996, de EATON CORPORATION: UNA IMPLANTACION DE IONES QUE CARACTERIZA UN NEUTRALIZADOR DE HAZ MEJORADO. UNA FUENTE CILINDRICA DE ELECTRONES RODEA EL HAZ DE IONES EN UNA UBICACION JUSTO ANTES DE […]
FABRICACION DE DISPOSITIVO QUE COMPRENDE UN PROCESO LITOGRAFICO., del 1 de Enero de 1996, de AT&T CORP.: FABRICACION DE DISPOSITIVOS CON TAMAÑO DE CARACTERISTICAS MINIMAS DE MICRA Y SUBMICRA, QUE SE LLEVA A CABO MEDIANTE PROCESAMIENTO LITOGRAFICO EN QUE INTERVIENE […]
METODOS Y APARATO PARA IMPURIFICACION A PARTIR DE PLASMA E IMPLANTACION IONICA EN UN SISTEMA DE TRATAMIENTO INTEGRADO, del 1 de Marzo de 2010, de VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES INC: Un aparato para tratar una oblea de semiconductor, que comprende: una cámara de tratamiento; un módulo de impurificación a partir […]