FABRICACION DE DISPOSITIVO QUE COMPRENDE UN PROCESO LITOGRAFICO.

FABRICACION DE DISPOSITIVOS CON TAMAÑO DE CARACTERISTICAS MINIMAS DE MICRA Y SUBMICRA,

QUE SE LLEVA A CABO MEDIANTE PROCESAMIENTO LITOGRAFICO EN QUE INTERVIENE UN FILTRO PLANO FOCAL TRASERO (8). UN TRATAMIENTO DE LA FABRICACION QUE IMPORTA PARTICULARMENTE DEPENDE DE LOS MODELOS DE MASCARA QUE PRODUCEN IMAGENES BASADAS EN LA DISCRIMINACION, COMO ENTRE LA RADIACION DISEMINADA (1B) Y SIN DISEMINAR (1A) MEDIANTE ELECTRONES ACELERADOS. POR EL CAMBIO DE FILTRO ES POSIBLE PRODUCIR DOS MODELOS COMPLEMENTARIOS DE LA MISMA MASCARA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: BERGER, STEVEN DAVID, GIBSON, JOHN MURRAY.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 18 de Octubre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01J37/317 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › para modificar las propiedades de objetos o para aplicarles revestimientos de capa delgada, p. ej. implantación de iones (H01J 37/36 tiene prioridad).

Patentes similares o relacionadas:

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA TRANSFERENCIA DE UN HAZ DE IONES., del 16 de Octubre de 2004, de EATON CORPORATION: UN METODO Y APARATO PARA MANTENER UN HAZ DE IONES A LO LARGO DE UN CAMINO DE HAZ DESDE UNA FUENTE DE IONES A UNA ESTACION DE IMPLANTACION […]

LENTES ELECTROSTATICA DE ACELERACION Y DESACELERACION PARA EL ENFOQUE VARIABLE Y LA RESOLUCION DE MASA DE UN HAZ DE UN IMPLANTADOR DE IONES., del 16 de Julio de 2004, de EATON CORPORATION: LA INVENCION SE REFIERE A UNA LENTE TRIODICA ELECTROSTATICA CON DESTINO A UN SISTEMA DE IMPLANTACION IONICO . LA LENTE INCLUYE UN ELECTRODO TERMINAL […]

MONTAJE DE CATODO PARA FUENTE DE IONES CON EL CATODO CALENTADO INDIRECTAMENTE., del 16 de Junio de 2002, de EATON CORPORATION: LA FUENTE DE IONES A LA QUE SE REFIERE LA INVENCION SE UTILIZA EN UN IMPLANTADOR DE IONES . LA FUENTE DE IONES COMPRENDE UNA CAMARA […]

ESTRUCTURA PARA LA ALINEACION DE UNA ABERTURA DE FUENTE DE IONES CON UN PASO DE HAZ DE IONES PREFIJADO., del 1 de Diciembre de 1999, de EATON CORPORATION: SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA Y UN METODO PARA POSICIONAR EXACTAMENTE Y ALINEAR UNA ABERTURA DE UN MIEMBRO DE EXTRACCION Y UN HUECO DE UN ELECTRODO DE EXTRACCION […]

LITOGRAFIA POR ELECTRONES CON UTILIZACION DE UN FOTOCATODO., del 16 de Agosto de 1999, de AT&T CORP.: LA DELINEACION DE DISEÑOS SUB-MICROMETRICOS, IMPORTANTES EN LA FABRICACION A GRAN ESCALA DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS, ESTA BASADA EN UN FOTOCATODO […]

DISPOSITIVOS DE IMPLANTACION IONICO, del 16 de Diciembre de 1998, de ADVANCED MICRO DEVICES INC.: SE PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PERFECCIONADO, DE IMPLANTACION DE IONES, QUE TIENE INTERFAZ PROGRAMABLE Y GRAFICO DEL USUARIO. EL DISPOSITIVO DE IMPLANTACION […]

CHORRO DE ELECTRONES DE EMISION SECUNDARIA DIFUSA., del 1 de Junio de 1996, de EATON CORPORATION: UNA IMPLANTACION DE IONES QUE CARACTERIZA UN NEUTRALIZADOR DE HAZ MEJORADO. UNA FUENTE CILINDRICA DE ELECTRONES RODEA EL HAZ DE IONES EN UNA UBICACION JUSTO ANTES DE […]

Imagen de 'METODOS Y APARATO PARA IMPURIFICACION A PARTIR DE PLASMA E IMPLANTACION…'METODOS Y APARATO PARA IMPURIFICACION A PARTIR DE PLASMA E IMPLANTACION IONICA EN UN SISTEMA DE TRATAMIENTO INTEGRADO, del 1 de Marzo de 2010, de VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES INC: Un aparato para tratar una oblea de semiconductor, que comprende: una cámara de tratamiento; un módulo de impurificación a partir […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .