MAGNETORRESISTENCIA DE EFECTO TUNEL Y CAPTADOR MAGNETICO QUE UTILIZA DICHA MAGNETORRESISTENCIA.

Magnetorresistencia de efecto túnel que comprende, bajo la forma de un apilamiento:

5 - una primera capa (12) de material magnético de imantación libre, - una capa (16), llamada de barrera, de un material aislante eléctrico, y - una segunda capa (14) de material magnético de imantación atrapada, caracterizada porque la primera capa (12) de material magnético presenta un espesor inferior o igual a 7 nm.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 31-33, RUE DE LA FEDERATION,75015 PARIS.

Inventor/es: DIENY, BERNARD, GIACOMONI, LAURENCE, VEDYAEV, ANATOLY.

Fecha de Publicación: 1 de Diciembre de 2002.

Fecha Solicitud PCT: 10 de Febrero de 1999.

Fecha Concesión Europea: 12 de Junio de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01F10/08 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS. › H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › caracterizadas por las capas magnéticas (aplicación de películas magnéticas a los sustratos H01F 41/14).
H01L43/08 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Resistencias controladas por un campo magnético.

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes.

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