SEMICONDUCTOR CON AISLACION DE FOSO RELLENADO POR FLUJO.

SE DESCRIBE UN FOSO QUE PROVEE UNA AISLACION ELECTRICA ENTRE TRANSISTORES EN UN SUBSTRATO DE CIRCUITO INTEGRADO.

SE RECUBRE EL FOSO CON UNA BARRERA DE DIFUSION, TIPICAMENTE UN OXIDO TERMICO SEGUIDO DE UNA CAPA ALIVIADORA DE LAS TENSIONES TERMICAS, FORMADA TIPICAMENTE POR TEOS. LUEGO SE DEPOSITA UN MATERIAL DE RELLENO, TIPICAMENTE BPTEOS, PARA RELLENAR EL FOSO Y CUBRIR LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA PLACA DE CONTACTO. SE CALIENTE EL METERIAL DE RELLENO PARA QUE FLUYA. LUEGO SE SOMETE LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL MATERIAL DE RELLENO FLUIDIFICADO A UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO TRASERO QUE HACE QUE LA SUPERIFICIE SUPERIOR DEL FOSO RELLENO SOBRESALGA LIGERAMENTE DE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUBSTRATO. EL FOSO RESULTANTE CONTIENE LA CAPA DE BARRERA DE DIFUSION, LA CAPA DE ALIVIO DE TENSIONES Y EL MATERIAL DE RELLENO. EL MATERIAL DE RELLENO Y LA CAPA DE ALIVIO DE TENSIONES SE ABLANDARAN DURANTE TRATAMIENTOS TERMICOS SUBSIGUIENTES DE LA PLACA DE CONTACTO, DE ESTA MANERA SE ALIVIAN LAS TENSIONES TERMICAS Y SE EVITA QUE SE PRODUZCAN DEFECTOS Y DISLOCACIONES DENTRO DE LA PLACA DE CONTACTO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: LEE, KUO-HUA, LU, CHIH-YUAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 15 de Abril de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/3105 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Postratamiento.
  • H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
  • H01L21/76 H01L 21/00 […] › Realización de regiones aislantes entre los componentes.

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