METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS.
SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO (11),
SOBRE EL CUAL UN GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS DE BARRERA HAN SIDO YA FORMADAS (17). SI EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS ESTA DEMASIADO BAJO EN RELACION CON LA ENERGIA DE RADIACION INCIDENTE, LAS ESPECIES DOPANTES PUEDEN SER CANALIZADAS A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, AFECTANDO ADVERSAMENTE AL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. LA PRESENTE INVENCION PREVIENE DE LA CANALIZACION A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS MEDIANTE EL RECUBRIMIENTO DE LA BARRERA CON UNA CAPA PROTECTORA (35) ANTES DE LA IMPRESION DEL ION. LA CAPA PROTECTORA (35) ES UNA CAPA DE OXIDO, LA CUAL ESTA FORMADA TANTO EN EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, DONDE ES MAS ESPESA, COMO EN EL SUSTRATO (11).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 16 de Diciembre de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/28 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
- H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
- H01L21/336 H01L 21/00 […] › con puerta aislada.
- H01L21/82 H01L 21/00 […] › para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
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