MEMORIA SOLO DE LECTURA PROGRAMABLE CON TIEMPO DE ACCESO MEJORADO.
MEMORIA PROGRAMABLE DE SOLO LECTURA DEL TIPO EEPROM CUYAS CELULAS DE MEMORIA ESTAN FORMADAS POR UN TRANSISTOR DE MEMORIA (ST) QUE LLEVA UN ELECTRODO PUERTA AISLADO (FG) AL QUE VA CONECTADO EN SERIE UN TRANSISTOR SELECTOR (AT).
LA CONEXION DRAIN DE CADA TRANSISTOR SELECTOR (AT) VA CONECTADO A UNA LINEA BINARIA (BL), Y EL TERMINAL PUERTA DE CADA TRANSISTOR SELECTOR (AT) ESTA CONECTADO A UNA LINEA DE PALABRA (WL). EN LA CONEXION DE LA PUERTA DE CONTROL (SG) DE LOS TRANSISTORES DE MEMORIA (ST) SE PUEDE APLICAR UNA TENSION DE LECTURA (U L' ), DEPENDIENDO EL VALOR DE LA TENSION DE LECTURA (U L' ) DE LA FRECUEN CIA F CL DEL CICLO DE LECTURA (TAKT1; TAKT2).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: SEDLAK, HOLGER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 16 de Abril de 1997.
Fecha Concesión Europea: 27 de Junio de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/04 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
- G11C16/06 G11C 16/00 […] › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Brasil, China, Japón, República de Corea, México, Federación de Rusia, Ucrania, Estados Unidos de América.
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